[发明专利]一种可隔绝水氧的密闭晶圆盒有效
申请号: | 201710485054.5 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107275273B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 王仕伟;李文连;任清江;晋芳铭;赵铮涛 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 合肥东信智谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34143 | 代理人: | 王学勇 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市三山区芜湖*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 隔绝 密闭 晶圆盒 | ||
本发明公开了一种可隔绝水氧的密闭晶圆盒,包括盒体和门体,所述门体为复合式门体,包括前门和后门,所述盒体包括开口,所述开口包括与后门结合的内部件以及与前门结合的外部件,所述前门与后门之间设置有腔体,所述腔体内表面设置多处凹槽,所述前门和后门均包括至少一个门闩结构,在后门与盒体的接触处设置有第一气密件和第二气密件。本发明所述可隔绝水氧的密闭晶圆盒,能够达到较好的气密特性,使装载晶圆的所述晶圆盒可以在长途转运等恶劣环境中也可以对所装载的晶圆达到更好的保护,通过每层门体结构均配置双层气密件,其中一层需充气,另一层不需要充气的配置,从而达到气密分级的能力,在使用中可根据使用环境进行选择。
技术领域
本发明涉及一种前开式晶圆盒,具体涉及一种可隔绝水氧的密闭晶圆盒。
背景技术
在半导体工业中,半导体芯片制程通常包括前段制程和后段制程,前道制程包括:黄光、化学、薄膜、蒸镀等,而后段制程包括研磨、划裂、测试、分选、目检等。由于半导体晶圆需要经过各种不同流程的处理且需配合制程设备,因此会被搬运到不同的工作站,为了方便晶圆的搬运且避免受到外界的污染,常会利用一密闭容器以供自动化设备输送。请参考图1,为现有技术的晶圆盒示意图。此晶圆盒是一种前开式晶圆盒,是具有一盒体10及一门体20,盒体10内部是设有多个插槽11可水平容置多个晶圆,且在盒体10的一侧面是具有一开口12可供晶圆的载出及加载,而门体20具有一个外表面21及一个内表面22,门体20是由内表面22与盒体10的开口12相结合,用以保护盒体10内部的多个晶圆。此外,在门体20的外表面21上配置有一个门闩开孔23,用以开启或是封闭前开式晶圆盒。在上述前开式晶圆盒中,由于半导体晶圆是水平地置于盒体10内部,因此,在前开式晶圆盒搬运过程中会设有一晶圆限制件,以避免晶圆因震动而产生移位或往盒体10的开口12方向移动。
中国专利,公开号为CN 101685788A提供一种具有门闩及气密结构的前开式晶圆盒,晶圆盒中的盒体配置至少一个充气阀,可以使得盒体内部形成正压力故可以防止外部大气进入晶圆盒内,同时,参考图2,采用气密件70与71,当采用机械装置将实体平面646进入闩插孔15后,然后将气密件70进行充气,使此膨胀或充气的气密件70不仅会在门体20及盒体10之间形成气密,也进一步地藉由膨胀来挤压门体20往盒体10的内部方向移动,使得门体20上的气密件71与盒体10彼此互相紧密结合,以达到双重气密效果。但是伴随半导体IC行业发展,更低成本的抗氧化能力较弱且容易受到水汽侵害的电极材料(如铝等)出现在半导体器件中,因为对空气中的水分及氧气更为敏感,若存在长途运输状况则情况更为糟糕,因此对晶圆盒的密封性能提出更高要求。同时因上述专利中气密件需要充气使用,每次充气则较为浪费人力,若储存在要求不是较高的密闭性环境中(如N2柜中),那么每次充气动作就显得较为冗余,因此本专利提供一种具有较强密封性能,且可视使用环境选择所需密封性能的简便操作的晶圆盒。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种可隔绝水氧的密闭晶圆盒。
为解决上述问题,本发明所采取的技术方案如下:
一种可隔绝水氧的密闭晶圆盒,包括盒体和门体,所述门体为复合式门体,包括前门和后门,所述盒体包括开口,所述开口包括与后门结合的内部件以及与前门结合的外部件,所述前门与后门之间设置有腔体,所述腔体内表面设置多处凹槽,所述前门和后门均包括至少一个门闩结构,在后门与盒体的接触处设置有第一气密件和第二气密件,所述门体上还设置有闩孔,所述盒体上设置有盒体闩孔。
作为上述技术方案的改进,所述内部件的周长小于所述外部件的周长,所述外部件与盒体外围处于同一平面或者凸出所述盒体的外围。
作为上述技术方案的改进,在所述前门与后门上同一对应位置上设置有闩孔结构。
作为上述技术方案的改进,在所述前门与后门的不同位置上设置有闩孔结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造