[发明专利]半导体结构及其形成方法、测量电阻的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括器件区和测试区；

位于所述器件区衬底上的多个分立的器件栅极结构，位于相邻器件栅极结构之间的器件源漏掺杂区；

连接所述器件源漏掺杂区的器件源漏插塞；

位于所述测试区衬底上的多个分立的测试栅极结构，多个测试栅极结构中具有第一测试栅极结构和第二测试栅极结构，所述第一测试栅极结构和第二测试栅极结构的宽度不相等，且所述第一测试栅极结构到相邻测试栅极结构之间的间距与第二测试栅极结构到相邻测试栅极结构之间的间距相等，或者，所述第一测试栅极结构与相邻测试栅极结构之间的间距为第一间距，所述第二测试栅极结构与相邻测试栅极结构之间的间距为第二间距，所述第一间距与第二间距不相等，所述第一测试栅极结构和第二测试栅极结构的宽度相等；

位于相邻测试栅极结构之间衬底中的测试源漏掺杂区，所述测试源漏掺杂区的个数大于2；

连接所述测试源漏掺杂区的测试源漏插塞，所述测试源漏插塞沿垂直于所述测试栅极结构侧壁方向上的尺寸与器件源漏插塞沿垂直于所述器件栅极结构侧壁方向上的尺寸相等。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个测试栅极结构中还具有第三测试栅极结构和第四测试栅极结构，所述第三测试栅极结构到相邻测试栅极结构之间的间距为第一间距，所述第四测试栅极结构到相邻测试栅极结构之间的间距为第二间距，所述第一间距与第二间距不相等；所述第三测试栅极结构和第四测试栅极结构的宽度不相等。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个测试栅极结构中还具有第三测试栅极结构和第四测试栅极结构，所述第三测试栅极结构中心到相邻测试栅极结构中心之间的距离与所述第四测试栅极结构中心到相邻测试栅极结构中心之间的距离相等，所述第三测试栅极结构与第四测试栅极结构的宽度不相等。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括：基底；位于所述测试区和器件区基底上的鳍部，所述测试区鳍部与所述器件区鳍部的宽度相等；

所述器件栅极结构横跨所述器件区鳍部，且覆盖所述器件区鳍部部分顶部和侧壁表面，所述测试栅极结构横跨所述测试区鳍部，且覆盖所述测试区鳍部部分侧壁和顶部表面。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述器件区鳍部的个数与所述测试区鳍部的个数相同。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于相邻器件栅极结构之间衬底中的器件源漏扩展区，所述器件源漏扩展区邻近器件栅极结构的边缘到所述器件栅极结构中心线之间的距离小于器件源漏掺杂区邻近器件栅极结构的边缘到所述器件栅极结构中心线之间的距离；位于所述测试栅极结构之间衬底中的测试源漏扩展区，所述测试源漏扩展区邻近测试栅极结构的边缘到所述测试栅极结构中心线之间的距离小于所述测试源漏掺杂区邻近测试栅极结构的边缘到所述测试栅极结构中心线之间的距离。

7.一种测量电阻的方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1所述的半导体结构；

对相邻测试源漏掺杂区之间的测试栅极结构施加开启电压，开启所述测试栅极结构下方的沟道；

使部分测试源漏插塞中具有第一测试电流，多个测试源漏插塞中具有第一插塞和第二插塞，所述第一插塞中具有第一测试电流，且所述第一测试电流不流经所述第二插塞以及所述第一插塞和第二插塞之间的测试栅极结构下方沟道；

获取所述第一插塞与第二插塞之间的测试电压；

通过所述第一测试电流与所述测试电压获取所述器件区的器件外部电阻。