[发明专利]眼图交叉点调整电路有效

专利信息
申请号: 201710487396.0 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN107425924B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 林安;李景虎;涂航辉 申请(专利权)人: 厦门亿芯源半导体科技有限公司
主分类号: H04B10/69 分类号: H04B10/69;H03K3/017
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 361000 福建省厦门市中国(福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 交叉点 调整 电路
【权利要求书】:

1.眼图交叉点调整电路,其特征在于,包括预放大电路和电压-电流调整单元,

参考电压VREF为预放大电路提供直流工作点,跨阻放大器TIA输出的数字信号通过交流耦合电容后保留交流小信号,交流小信号经过预放大电路幅值放大并输出待调整数字信号电压,该待调整数字信号电压用于输出给电压-电流调整单元以及限幅放大器中后级放大器;

电压-电流调整单元在芯片外部调整电压VTHP、芯片外部调整电压VTHN的控制下,输出控制指令给预放大电路,以控制承载差模小信号数字电压的直流电平大小,进而控制差模小信号数字电压绘制眼图的交叉点位置;

当跨阻放大器输出的数字信号绘制的眼图交叉点与0mV准线重合时,控制芯片外部调整电压VTHP、VTHN的电压值相等;

当跨阻放大器输出的数字信号绘制的眼图交叉点在0mV准线上方时,保持芯片外部调整电压VTHN电压值不变,调节芯片外部调整电压VTHP逐渐调低,以使差模小信号数字电压绘制眼图的交叉点下移,直至到达0mV准线,停止调节芯片外部调整电压VTHP;

当跨阻放大器输出的数字信号绘制的眼图交叉点在0mV准线下方时,保持芯片外部调整电压VTHN电压值不变,调节芯片外部调整电压VTHP的电压逐渐调高,以使差模小信号数字电压绘制眼图的交叉点上移,直至到达0mV准线,停止调节芯片外部调整电压VTHP。

2.根据权利要求1所述的眼图交叉点调整电路,其特征在于,预放大电路包括NPN晶体管Q1~Q4和电阻R1~R5;

NPN晶体管Q1的基极通过电容C1连接跨阻放大器TIA的正向输出端;

参考电压VREF通过电阻R8为电容C1输出的交流小信号提供直流工作点C;

NPN晶体管Q2的基极通过电容C2连接跨阻放大器TIA的反向输出端;

参考电压VREF通过电阻R9为电容C2输出的交流小信号提供直流工作点D;

NPN晶体管Q1的集电极同时连接电阻R4的一端、NPN晶体管Q5的集电极和待调整数字电压输出节点B;

NPN晶体管Q2的集电极同时连接电阻R5的一端、NPN晶体管Q6的集电极和待调整数字电压输出节点A;

NPN晶体管Q1的发射极同时连接电阻R1的一端和NPN晶体管Q3的集电极;

NPN晶体管Q2的发射极同时连接电阻R1的另一端和NPN晶体管Q4的集电极;

NPN晶体管Q3的基极、NPN晶体管Q4的基极同时接入偏置电压Vb1

NPN晶体管Q3的发射极通过电阻R2接地;

NPN晶体管Q4的发射极通过电阻R3接地;

电阻R4的另一端、电阻R5的另一端同时连接电源VDD。

3.根据权利要求1所述的眼图交叉点调整电路,其特征在于,电压-电流调整单元包括NPN晶体管Q5、NPN晶体管Q6、NMOS晶体管MN1、NMOS晶体管MN2、R6和R7;

NPN晶体管Q5的基极接入芯片外部调整电压VTHP;

NPN晶体管Q6的基极接入芯片外部调整电压VTHN;

NPN晶体管Q5的集电极连接待调整数字电压输出节点B;

NPN晶体管Q6的集电极连接待调整数字电压输出节点A;

NPN晶体管Q5的发射极通过电阻R6连接NMOS晶体管MN1的漏极;

NPN晶体管Q6的发射极通过电阻R7连接NMOS晶体管MN2的漏极;

NMOS晶体管MN1的栅极、NMOS晶体管MN2的栅极同时接入偏置电压Vb2

NMOS晶体管MN1的源极和NMOS晶体管MN2的源极同时接GND。

4.根据权利要求2所述眼图交叉点调整电路,其特征在于,电阻R4和电阻R5的阻值相等。

5.根据权利要求2所述眼图交叉点调整电路,其特征在于,电容C1和电容C2为交流耦合电容。

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