[发明专利]一种晶圆硅通孔填充方法有效
| 申请号： | 201710495773.5 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107342273B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 倪正春;伍恒;李恒甫 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈博旸 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆硅通孔 填充 方法 | ||
1.一种晶圆硅通孔填充方法，其特征在于，包括如下步骤：
根据第一参数对晶圆硅通孔进行第一次电镀处理，以填充所述晶圆硅通孔，其中所述第一参数包括至少一个第一电流值；
根据第二参数对所述晶圆硅通孔进行第二次电镀处理，以补充对所述晶圆硅通孔进行补充填充，其中所述第二参数包括至少一个第二电流值，且至少一部分所述第二电流值大于所述第一电流值；
所述第一电流值和所述第二电流值均为多个，且均具有预定顺序，并按顺序逐渐增大，其中所述第二电流值中的最小值等于所述第一电流值中的最小值。
2.根据权利要求1所述的晶圆硅通孔填充方法，其特征在于，所述第二电流值中的次小值等于所述第一电流值中的最大值。
3.根据权利要求1所述的晶圆硅通孔填充方法，其特征在于，所述第一参数还包括与所述第一电流值相应的第一电镀持续时间，所述第二参数还包括与所述第二电流值相应的第二电镀持续时间。
4.根据权利要求1所述的晶圆硅通孔填充方法，其特征在于，在所述根据第一参数对晶圆硅通孔进行第一次电镀处理之后，所述根据第二参数对所述晶圆硅通孔进行第二次电镀处理之前，还包括：利用蚀刻液对所述晶圆硅通孔进行处理。
5.根据权利要求4所述的晶圆硅通孔填充方法，其特征在于，所述利用蚀刻液对所述晶圆硅通孔进行处理包括：利用双氧水与硫酸的混合液，在预定转速下对所述晶圆硅通孔蚀刻预定时间。
6.根据权利要求5所述的晶圆硅通孔填充方法，其特征在于，所述预定转速为30RPM，所述预定时间为20s。
7.根据权利要求4所述的晶圆硅通孔填充方法，其特征在于，蚀刻厚度范围为10nm-100nm。
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