[发明专利]一种半导体封装方法及封装结构在审

专利信息
申请号: 201710531849.5 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107342269A 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 李昭强 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 代理人: 马永芬
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体封装方法,其特征在于,包括:

在载片的第一表面上形成凹槽;所述凹槽的位置与芯片的焊盘位置相对应;

在所述凹槽中设置金属连接柱;

将芯片贴装在所述载片的第一表面上,所述金属连接柱与所述芯片的焊盘的连接;

对载片的第一表面进行封装,形成覆盖所述芯片的封装层;

对所述载片的第二表面进行减薄至露出所述金属连接柱;

在所述载片的第二表面加工第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上形成与所述金属连接柱连通的通孔;

在所述载片的第二表面上加工线路层;所述线路层通过所述通孔与所述金属连接柱连接;

在所述载片的第二表面加工第二绝缘层;

在所述第二绝缘层上加工与所述线路层连通的开口,并在所述开口处设置焊球。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述线路层上与同一芯片连接的至少一条导线向背离所述芯片中心的方向延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述通孔的横截面积小于所述金属连接柱的横截面积。

4.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述凹槽中形成金属连接柱的步骤包括:

在所述载片第一表面形成金属层;

对所述金属层进行刻蚀,在所述凹槽位置形成金属连接柱。

5.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在将芯片贴装在所述载片的第一表面上的步骤之前,还包括:在所述金属连接柱的上表面设置焊料。

6.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述凹槽的深度为10μm至50μm,和/或所述凹槽的直径为50μm至100μm。

7.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述载片包括玻璃载片、亚克力板、树脂载片、陶瓷载片或单晶硅晶圆中的任意一者。

8.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述开口处设置焊球的步骤之后,还包括:对板体进行切割,得到单个芯片的封装结构。

9.一种采用权利要求1至8任一项所述的半导体封装方法所制备的半导体封装结构。

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