[发明专利]一种半导体封装方法及封装结构在审

专利信息
申请号: 201710531849.5 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107342269A 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 李昭强 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 代理人: 马永芬
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 方法 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种半导体封装方法及封装结构。

背景技术

随着半导体相关技术的发展,一方面芯片的功能越来越强大,引脚数量越来越多;另一方面为适应移动终端等设备小型化的需要,芯片的尺寸越来越小,使得芯片引脚间距便越来越小,不便于线路板布线。

扇出型封装工艺能够在芯片封装时根据需要增大与芯片引脚相连的焊点之间的间距,从而便于布线。现有的扇出型封装方法,先将芯片正面(即芯片上设置有焊盘的一面)朝下贴附于载板上,然后将芯片封装在封装层中,然后将板体进行180度翻转,拆除载板、载板与芯片间的胶膜以露出芯片正面的焊盘,进而在芯片正面设置连接焊盘的引线,在引线末端设置芯片封装结构的焊点。

然而,由于芯片贴附于载板上时焊盘朝向载板,因此为露出焊盘必须拆除载板与胶膜。为此,芯片封装结构必须做得足够厚(主要是封装层必须足够厚),否则载板拆除后的封装层容易形成较大的翘曲,导致后续的重布线工艺难以进行。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供了一种半导体封装方法及封装结构,以制备轻薄化的扇出型半导体封装结构。

本发明第一方面提供了一种半导体封装方法,包括:在载片的第一表面上形成凹槽;所述凹槽的位置与芯片的焊盘位置相对应;在所述凹槽中设置金属连接柱;将芯片贴装在所述载片的第一表面上,所述金属连接柱与所述芯片的焊盘的连接;对载片的第一表面进行封装,形成覆盖所述芯片的封装层;对所述载片的第二表面进行减薄至露出所述金属连接柱;在所述载片的第二表面加工第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成与所述金属连接柱连通的通孔;在所述载片的第二表面上加工线路层;所述线路层通过所述通孔与所述金属连接柱连接;在所述载片的第二表面加工第二绝缘层;在所述第二绝缘层上加工与所述线路层连通的开口,并在所述开口处设置焊球。

可选地,所述线路层上与同一芯片连接的至少一条导线向背离所述芯片中心的方向延伸。

可选地,所述通孔的横截面积小于所述金属连接柱的横截面积。

可选地,所述在所述凹槽中形成金属连接柱的步骤包括:在所述载片第一表面形成金属层;对所述金属层进行刻蚀,在所述凹槽位置形成金属连接柱。

可选地,所述在将芯片贴装在所述载片的第一表面上的步骤之前,还包括:在所述金属连接柱的上表面设置焊料。

可选地,所述凹槽的深度为10μm至50μm,和/或所述凹槽的直径为50μm至100μm。

可选地,所述载片包括玻璃载片、亚克力板、树脂载片、陶瓷载片或单晶硅晶圆中的任意一者。

可选地,所述在所述开口处设置焊球的步骤之后,还包括:对板体进行切割,得到单个芯片的封装结构。

本发明第二方面提供了采用第一方面或者第一方面任意一种可选实施方式所制备的半导体封装结构。

本发明实施例所提供的半导体封装方法及封装结构,先在载片的第一表面形成凹槽,在凹槽中设置金属连接柱,再将芯片贴装在载片的第一表面,对载片的第一表面进行封装形成封装层,然后对载片的第二表面进行减薄至露出金属连接柱,在载片第二表面加工第一绝缘层并在第一绝缘层上形成与金属连接柱连通的通孔,在载片第二表面依次加工线路层、第二绝缘层,并在绝缘层上加工开口,在开口处设置焊球。由于在芯片是贴装于载片上的金属连接柱上,因此芯片的焊盘可以直接与金属连接柱连接,从而本方法无需拆除载片或载片与芯片之间的胶膜以露出芯片的焊盘,载片不会形成翘曲,使得芯片封装结构可以做得较为轻薄,还降低了工艺成本。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点,附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制,在附图中:

图1示出了在载片上形成凹槽的示意图;

图2示出了在凹槽中设置金属连接柱的示意图;

图3示出了在金属连接柱上设置焊料的示意图;

图4示出了贴装芯片的示意图;

图5示出了形成封装层的示意图;

图6示出了对载片的第二表面进行减薄的示意图;

图7示出了在载片第二表面加工第一绝缘层的示意图;

图8示出了在第一绝缘层上形成通孔的示意图;

图9示出了在载片第二表面加工线路层的示意图;

图10示出了在载片第二表面加工第二绝缘层的示意图;

图11示出了在第二绝缘层上加工开口的示意图;

图12示出了在第二绝缘层开口处设置焊球的示意图;

图13示出了切割后所的单个芯片的封装结构的示意图。

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