[发明专利]体声波滤波器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种体声波滤波器装置，包括：

基板；

下电极，在所述基板上；

压电层，覆盖所述下电极的至少部分；及

上电极，覆盖所述压电层的至少部分，

其中，所述上电极具有密度减小层，所述密度减小层设置在所述上电极的除所述体声波滤波器装置的谐振区的中央部分之外的至少部分上，所述体声波滤波器装置的谐振区在所述压电层的激发过程中随着所述压电层变形和振动，所述密度减小层的密度小于所述上电极的其他部分的密度，

其中，所述上电极具有覆盖所述压电层的电极层和堆叠在所述电极层上的框架层。

2.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述密度减小层包含氧化物。

3.根据权利要求2所述的体声波滤波器装置，其中，所述上电极包括导体，并且其中，所述密度减小层是所述上电极的所述导体的选择氧化的产物。

4.根据权利要求2所述的体声波滤波器装置，其中，所述密度减小层形成在所述电极层的设置在所述框架层和所述电极层的与所述谐振区相对应的内部区域之间的部分上。

5.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，其中，形成在所述电极层的所述部分上的所述密度减小层具有在所述内部区域的周围之外且在所述框架层的内周之内的带形状。

6.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，其中，所述框架层的厚度大于所述电极层的厚度。

7.根据权利要求2所述的体声波滤波器装置，其中，

所述密度减小层形成在所述框架层上以及所述框架层和所述电极层的内部区域之间。

8.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，其中，所述框架层具有在所述内部区域的周围之外的带形状。

9.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，还包括：

第一层，与所述基板一起形成气隙；及

第二层，所述第二层形成在所述第一层上，从而也设置在所述气隙上，且所述第二层在所述下电极的下方。

10.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，还包括：

第一金属焊盘，形成在所述上电极上；

第二金属焊盘，形成在所述下电极上；及

钝化层，形成在所述体声波滤波器装置的除所述体声波滤波器装置的形成有所述金属焊盘的部分之外的所有部分中。

11.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述上电极包含钼、钌、钨、铱和铂中的任意一种或者钼、钌、钨、铱和铂中的至少两种的合金。

12.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，还包括：

气隙形成层，形成在所述基板上，所述气隙形成层中具有气隙；及

第一保护层，形成在所述气隙形成层上并且设置在所述下电极的下方。

13.一种制造体声波滤波器装置的方法，所述方法包括：

形成所述体声波滤波器装置的层，所述层包括牺牲层、下电极层、压电层和上电极层；

形成光刻胶层以暴露所述上电极层的除所述上电极层的中央部分之外的部分；

通过氧化所述上电极层的从所述形成的光刻胶层向外暴露的部分形成密度减小层；及

移除所述光刻胶层。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：为形成所述上电极层，形成覆盖所述压电层的电极层和形成堆叠在所述电极层上的框架层，

其中，所述密度减小层形成在所述电极层的设置在所述框架层和所述电极层的内部之间的选择部分上。