[发明专利]体声波滤波器装置及其制造方法

说明书

本公开提供一种体声波滤波器装置及其制造方法，所述体声波滤波器装置包括：基板；下电极，在所述基板上；压电层，覆盖所述下电极的至少部分；及上电极，覆盖所述压电层的至少部分。所述上电极具有密度减小层，所述密度减小层设置在所述上电极的除所述体声波滤波器装置的谐振区的中央部分之外的至少部分上，所述体声波滤波器装置的谐振区在所述压电层的激发过程中随着所述压电层变形和振动。所述密度减小层的密度小于所述上电极的其他部分的密度。

本申请要求于2016年7月7日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0085999号韩国专利申请以及于2016年11月28日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0159241号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波滤波器装置及其制造方法。

背景技术

体声波谐振器(BAWR)装置指的是利用压电介电材料的压电特性产生谐振的薄膜式元件。例如，压电介电材料可沉积在诸如硅晶圆的半导体基板上。在这种具有BAWR构造的薄膜式元件作为滤波器实施时，显示为体声波滤波器装置。

虽然诱发的纵向波沿着所施加的电场的方向形成，但是在振动的横向波分量在体声波滤波器装置的平面方向上引起寄生谐振的情况下，横向波(与纵向波正交)的振动分量或者寄生谐振在对应的体声波滤波器装置的谐振频率和周围的频率范围中出现并因此而影响谐振频率和周围的频率范围。

发明内容

提供本发明内容来以简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个方面中，提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置包括：基板；下电极，在所述基板上；压电层，覆盖所述下电极的至少部分；及上电极，覆盖所述压电层的至少部分，其中，所述上电极具有密度减小层，所述密度减小层设置在所述上电极的除所述体声波滤波器装置的谐振区的中央部分之外的至少部分上，所述体声波滤波器装置的谐振区在所述压电层的激发过程中随着所述压电层变形和振动，所述密度减小层的密度小于所述上电极的其他部分的密度。

所述密度减小层可包含氧化物。

所述上电极可包括导体，其中，所述密度减小层可以是所述上电极的所述导体的选择氧化的产物。

所述上电极可具有覆盖所述压电层的电极层和堆叠在所述电极层上的框架层，并且所述密度减小层可形成在所述电极层的设置在所述框架层和所述电极层的与所述谐振区相对应的内部区域之间的部分上。

形成在所述电极层的所述部分上的所述密度减小层可具有在所述内部区域的周围之外且在所述框架层的内周之内的带形状。

所述框架层的厚度可大于所述电极层的厚度。

所述上电极可具有覆盖所述压电层的电极层和堆叠在所述电极层上的框架层，并且所述密度减小层可形成在所述框架层上以及所述框架层和所述电极层的内部区域之间。

所述框架层可具有在所述内部区域的周围之外的带形状。

所述体声波滤波器装置还可包括：第一层，与所述基板一起形成气隙；及第二层，形成在所述第一层上以设置在所述气隙上且在所述下电极的下方。

所述体声波滤波器装置还可包括：第一金属焊盘，形成在所述上电极上；第二金属焊盘，形成在所述下电极上；及钝化层，形成在所述体声波滤波器装置的除所述体声波滤波器装置的形成有所述金属焊盘的部分之外的所有部分中。

所述上电极可包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)和铂(Pt)中的任意一种或者钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)和铂(Pt)中的至少两种的合金。