[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成第一电极；

在所述衬底之上形成绝缘层；

通过化学机械抛光平坦化所述绝缘层并且暴露所述第一电极的顶表面，使得所述绝缘层包括平均表面粗糙度小于0.5nm的表面；

形成结晶氧化物半导体膜，所述结晶氧化物半导体膜包括晶体，所述晶体设置在平均表面粗糙度小于0.5nm的所述表面之上并与之接触；以及

在所述第一电极和所述结晶氧化物半导体膜之上形成第二电极，

其中所述第二电极电连接到所述第一电极和所述结晶氧化物半导体膜，

其中所述晶体的c轴基本上垂直于所述绝缘层的所述表面，以及

其中所述结晶氧化物半导体膜包括铟和锌。

2.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底之上形成第一电极；

在所述半导体衬底之上形成绝缘层；

通过化学机械抛光平坦化所述绝缘层并且暴露所述第一电极的顶表面，使得所述绝缘层包括平均表面粗糙度小于0.5nm的表面；

形成结晶氧化物半导体膜，所述结晶氧化物半导体膜包括晶体，所述晶体设置在平均表面粗糙度小于0.5nm的所述表面之上并与之接触；以及

在所述第一电极和所述结晶氧化物半导体膜之上形成第二电极，

其中所述第二电极电连接到所述第一电极和所述结晶氧化物半导体膜，

其中所述晶体的c轴基本上垂直于所述绝缘层的所述表面，以及

其中所述结晶氧化物半导体膜包括铟和锌。

3.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

形成绝缘层，所述绝缘层包括平均表面粗糙度大于或等于0.1nm并且小于0.5nm的表面；以及

形成结晶氧化物半导体膜，所述结晶氧化物半导体膜包括晶体，所述晶体设置在平均表面粗糙度大于或等于0.1nm并且小于0.5nm的所述表面之上并与之接触，

其中所述晶体的c轴基本上垂直于所述绝缘层的所述表面，以及

其中所述结晶氧化物半导体膜包括铟和锌。

4.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

形成绝缘层，所述绝缘层包括平均表面粗糙度大于或等于0.1nm并且小于0.5nm的表面；

形成结晶氧化物半导体膜，所述结晶氧化物半导体膜包括晶体，所述晶体设置在平均表面粗糙度大于或等于0.1nm并且小于0.5nm的所述表面之上并与之接触；

在所述结晶氧化物半导体膜之上形成源极电极和漏极电极；

在所述结晶氧化物半导体膜、所述源极电极和所述漏极电极之上形成栅极绝缘膜；以及

在所述栅极绝缘膜之上形成栅极电极，

其中所述栅极电极包括铟、镓和锌，以及

其中所述晶体的c轴基本上垂直于所述绝缘层的所述表面。

5.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成绝缘层；

通过化学机械抛光平坦化所述绝缘层；

在所述绝缘层之上形成结晶氧化物半导体膜，所述结晶氧化物半导体膜与所述绝缘层接触；以及

在所述结晶氧化物半导体膜之上形成电极，

其中所述电极电连接到所述结晶氧化物半导体膜，

其中在平坦化所述绝缘层之后所述绝缘层包括平均表面粗糙度小于0.5nm的表面，

其中所述结晶氧化物半导体膜包括晶体，所述晶体设置在平均表面粗糙度小于0.5nm的所述表面之上并与之接触；

其中所述晶体的c轴基本上垂直于所述绝缘层的所述表面，以及

其中所述结晶氧化物半导体膜包括铟和锌。

6.根据权利要求1、2、3、4和5中任一项所述的制造半导体装置的方法，其中在加热时所述结晶氧化物半导体膜形成在所述绝缘层之上。

7.根据权利要求1、2、3、4和5中任一项所述的制造半导体装置的方法，其中所述绝缘层包括氧。

8.根据权利要求1、2、3、4和5中任一项所述的制造半导体装置的方法，其中所述绝缘层包括氧化硅或氧氮化硅。