[发明专利]一种射频通道隔离电路

权利要求书

1.一种射频通道隔离电路，应用于相控阵天线系统，其特征在于，包括：

处理器，用以生成并输出操控信号；

射频收发器，用以接收射频接收信号和发射射频发送信号；

第一信号传输通路，设置在所述处理器和所述射频收发器的连接通路之间，且与所述射频收发器的第一输入端连接，用以接收所述操控信号并处理生成所述射频发送信号，其中包括：第一同相通路、第一反相通路、第一同相场效应管和第一反相场效应管，所述第一同相通路用以将所述操控信号处理为第一同相信号，并将所述第一同相信号输入所述第一同相场效应管；所述第一反相通路用以将所述操控信号处理为第一反相信号，并将所述第一反相信号输入所述第一反相场效应管，其中，所述第一同相信号和所述第一反相信号的相位相反，所述第一同相场效应管基于所述第一同相信号的开闭状态与所述第一反相场效应管基于所述第一反相信号的开闭状态相反；

第二信号传输通路，与所述第一信号传输通路并联设置在所述处理器和所述射频收发器的连接通路之间，且与所述射频收发器上与所述第一输入端不同的第二输入端连接，用以接收所述射频接收信号并处理生成输出至所述处理器的外部信号，其中包括：第二同相通路、第二反相通路、第二同相场效应管、以及第二反相场效应管；所述第二同相场效应管和所述第二反相场效应管基于所述射频接收信号的相位的开闭状态相反；在所述第二同相场效应管为开启时，所述第二同相通路接收经所述第二同相场效应管输入的所述射频接收信号，并将所述射频接收信号处理为与所述射频接收信号同相的所述外部信号；在所述第二反相场效应管为开启时，所述第二反相通路接收经所述第二反相场效应管输入的所述射频接收信号，并将所述射频接收信号处理为与所述射频接收信号反相的所述外部信号。

2.如权利要求1所述的射频通道隔离电路，其特征在于，所述第一同相通路和所述第二同相通路包括同相器；

所述第一反相通路和所述第二反相通路包括反相器。

3.如权利要求1所述的射频通道隔离电路，其特征在于，所述第一同相场效应管和所述第二同相场效应管为相同的场效应管；和/或所述第一反相场效应管、和所述第二反相场效应管为相同的场效应管。

4.如权利要求3所述的射频通道隔离电路，其特征在于，所述场效应管为绝缘栅场效应管或结型场效应管。

5.如权利要求4所述的射频通道隔离电路，其特征在于，所述射频收发器具体为射频SOC芯片，所述射频SOC芯片的信号发射通道为所述第一输入端，所述射频SOC芯片的信号接收通道为所述第二输入端。

6.如权利要求5所述的射频通道隔离电路，其特征在于，所述第一同相场效应管的源极与第一电源连接，所述第一同相场效应管的栅极与所述第一同相通路的输出端连接，所述第一同相场效应管的漏极、与所述第一反相场效应管的源极以及所述射频SOC芯片的信号发射通道的第一漏压连接，且所述第一反相场效应管的栅极和漏极接地；所述第二同相场效应管的源极与第二电源连接，所述第二同相场效应管的栅极与所述第二反相通路的输出端连接，所述第二同相场效应管的漏极、与所述第二反相场效应管的源极以及所述射频SOC芯片的信号接收通道的第二漏压连接，且所述第二反相场效应管的栅极和漏极接地。

7.如权利要求6所述的射频通道隔离电路，其特征在于，所述处理器与所述射频SOC芯片的信号发射通道的第一栅压连接，并且所述处理器与所述射频SOC芯片的信号接收通道的第二栅压连接；

所述处理器，用以向所述第一栅压发出第一控制信号以控制所述信号发射通道的开闭状态，向所述第二栅压发出第二控制信号以控制所述信号接收通道的开闭状态，以使所述信号发射通道与所述信号接收通道中的一个通道处于开启状态时，另一通道处于关闭状态。

8.如权利要求7所述的射频通道隔离电路，其特征在于，所述处理器与所述第一栅压以及所述第二栅压之间的连接通路上还设置有数模转换器，所述数模转换器用以接收所述处理器发出的操作信号，并基于所述操作信号向所述第一栅压发出所述第一控制信号，和/或向所述第二栅压发出所述第二控制信号。