[发明专利]输入装置有效
申请号: | 201710585528.3 | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN107643785B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 千叶裕 | 申请(专利权)人: | 哉英电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F5/00 | 分类号: | G05F5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;朱丽娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入 装置 | ||
1.一种输入装置,其具有:第1基准端,其被设定为第1基准电位;第2基准端,其被设定为第2基准电位;信号输入端,其用于取入输入信号;以及信号输出端,其输出与所述输入信号的电压值相对于规定的阈值的高低状态对应的电平的信号,其中,该输入装置具有:
第1MOS晶体管,其具有:与所述第1基准端电连接的漏极;与所述信号输入端电连接的栅极;以及源极;
第2MOS晶体管,其具有:分别与所述第1基准端电连接的漏极和栅极;以及源极;
第1电阻器,其具有与所述第1MOS晶体管的所述源极电连接的一端和与第1节点电连接的另一端;
第2电阻器,其具有与所述第2MOS晶体管的所述源极电连接的一端和与第2节点电连接的另一端;
第3电阻器,其具有与所述第1节点电连接的一端和与所述第2基准端电连接的另一端;
第4电阻器,其具有与所述第2节点电连接的一端和与所述第2基准端电连接的另一端;以及
比较电路,其具有:第1输入端,其与所述第1节点电连接,被设定为与所述第1节点相同的电位;第2输入端,其与所述第2节点电连接,被设定为与所述第2节点相同的电位;以及输出端,其相当于所述信号输出端,输出与所述第1输入端和第2输入端各自的电位之间的高低状态对应的电平的信号。
2.根据权利要求1所述的输入装置,其中,
所述第3电阻器的电阻值与所述第4电阻器的电阻值相等。
3.根据权利要求1或2所述的输入装置,其中,
所述第3电阻器的电阻值大至所述第1电阻器的电阻值的10倍以上,
所述第4电阻器的电阻值大至所述第2电阻器的电阻值的10倍以上。
4.根据权利要求1或2所述的输入装置,其中,
该输入装置还具有第5电阻器,该第5电阻器具有与所述第1基准端电连接的一端和与所述第2MOS晶体管的所述漏极电连接的另一端。
5.根据权利要求3所述的输入装置,其中,
该输入装置还具有第5电阻器,该第5电阻器具有与所述第1基准端电连接的一端和与所述第2MOS晶体管的所述漏极电连接的另一端。
6.根据权利要求4所述的输入装置,其中,
所述第2电阻器的电阻值和所述第5电阻器的电阻值之和与所述第1电阻器的电阻值相等。
7.根据权利要求5所述的输入装置,其中,
所述第2电阻器的电阻值和所述第5电阻器的电阻值之和与所述第1电阻器的电阻值相等。
8.一种输入装置,其具有:第1基准端,其被设定为第1基准电位;第2基准端,其被设定为第2基准电位;信号输入端,其用于取入输入信号;以及信号输出端,其输出与所述输入信号的电压值相对于规定的阈值的高低状态对应的电平的信号,其中,该输入装置具有:
第1MOS晶体管,其具有:与所述第1基准端电连接的漏极;与所述信号输入端电连接的栅极;以及源极;
第2MOS晶体管,其具有:与所述第1基准端电连接的漏极和栅极;以及源极;
第1电阻器,其具有与所述第1MOS晶体管的所述源极电连接的一端和与第1节点电连接的另一端;
第2电阻器,其具有与所述第2MOS晶体管的所述源极电连接的一端和与第2节点电连接的另一端;
第1电流源,其具有与所述第1节点电连接的一端和与所述第2基准端电连接的另一端;
第2电流源,其具有与所述第2节点电连接的一端和与所述第2基准端电连接的另一端;以及
比较电路,其具有:第1输入端,其与所述第1节点电连接,被设定为与所述第1节点相同的电位;第2输入端,其与所述第2节点电连接,被设定为与所述第2节点相同的电位;以及输出端,其相当于所述信号输出端,输出与所述第1输入端和第2输入端各自的电位之间的高低状态对应的电平的信号。
9.根据权利要求8所述的输入装置,其中,
在所述第1电流源中流过的电流与在所述第2电流源中流过的电流相等。
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