[发明专利]IGBT功率管固定结构

说明书

技术领域

本发明涉及设备配件领域，具体为IGBT功率管固定结构。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

在逆变器生产过程中，由于IGBT比较小，大多采用卡扣式安装，目前还没有一种成本低廉、结构牢固、安装方便，同时又容易更换的IGBT功率管固定结构。

发明内容

本发明正是针对以上技术问题，提供一种成本低廉、结构牢固、安装方便，同时又容易更换的IGBT功率管固定结构。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的：

IGBT功率管固定结构，包括基座、弹片、功率管本体、压紧突起、座体卡扣、管体卡扣，其特征在于基座上方设置有座体卡扣，座体卡扣两侧设置有通孔，功率管本体顶部设置管体卡扣，功率管本体通过管体卡扣与基座卡接在一起，基座底部两侧位置设置有压紧突起，弹片整体设置在基座内部。基座整体呈矩形，座体卡扣设置在中间，管体卡扣设置在座体卡扣两侧。管体卡扣设置在座体卡扣两侧的中间位置，与基座底部的压紧突起对应。管体卡扣设置在座体上操两侧的偏上侧位置，与基座底部的压紧突起错开。基座与座体卡扣为一体成型结构。

本发明所述IGBT功率管固定结构在基座内部设置有弹片，提高了基座整体的强度，而且，功率管本体通过管体卡扣卡接在基座上，然后再通过基座顶部的座体卡扣卡接在电路板上，安装拆卸都极其方便。同时，本发明通过在基座底部两侧位置设置压紧突起，在功率管本体通过管体卡扣卡接在基座上后，功率管本体压迫到压紧突起，因此，功率管本体在压紧突起的反作用力下保持稳定，不易松动。

附图说明

图1为本发明剖面结构示意图，图2是本发明顶部结构示意图，其中：

1—基座，2—弹片，3—功率管本体，4—压紧突起，5—座体卡扣，6—管体卡扣。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

IGBT功率管固定结构，包括基座1、弹片2、功率管本体3、压紧突起4、座体卡扣5、管体卡扣6，其特征在于基座1上方设置有座体卡扣5，座体卡扣5两侧设置有通孔，功率管本体3顶部设置管体卡扣6，功率管本体3通过管体卡扣6与基座1卡接在一起，基座1底部两侧位置设置有压紧突起4，弹片2整体设置在基座1内部。基座1整体呈矩形，座体卡扣5设置在中间，管体卡扣6设置在座体卡扣5两侧。管体卡扣6设置在座体卡扣5两侧的中间位置，与基座1底部的压紧突起4对应。管体卡扣6设置在座体上操两侧的偏上侧位置，与基座1底部的压紧突起4错开。基座1与座体卡扣5为一体成型结构。

本发明所述IGBT功率管固定结构在基座1内部设置有弹片2，提高了基座1整体的强度，而且，功率管本体3通过管体卡扣6卡接在基座1上，然后再通过基座1顶部的座体卡扣5卡接在电路板上，安装拆卸都极其方便。同时，本发明通过在基座1底部两侧位置设置压紧突起4，在功率管本体3通过管体卡扣6卡接在基座1上后，功率管本体3压迫到压紧突起4，因此，功率管本体3在压紧突起4的反作用力下保持稳定，不易松动。