[发明专利]一种图形转角的OPC修正方法有效
申请号: | 201710636987.X | 申请日: | 2017-07-31 |
公开(公告)号: | CN107479331B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 张月雨;汪悦;毛智彪 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/36 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图形 转角 opc 修正 方法 | ||
本发明公开了一种图形转角的OPC修正方法,包括以下步骤:S01:输入含有目标图形的原始版图,其中,位于目标图形中两个邻边夹角为90度的顶点为凸角转角,位于目标图形中两个邻边夹角为270度的顶点为凹角转角;S02:对原始版图做转角处理,得到修正目标层,所述转角处理具体为:在凸角转角的外部添加至少一个的矩形修正图形;在凹角转角的内部挖除至少一个的矩形修正图形;S03:对修正目标层做基于模型的OPC修正,得到掩模层。本发明提供的一种图形转角的OPC修正方法,通过对不同的转角做添加或挖除矩形修正图形的处理,能够获得比传统方法更好的转角修正结果,解决由于转角严重圆化所导致的叠层误差和覆盖面积不足等工艺热点问题。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,具体涉及一种图形转角的OPC修正方法。
背景技术
随着技术节点的不断减小,对于图形尺寸以及上下层的对准精度要求也越来越高。在光刻工艺制程中,由于光学成像本身的分辨率限制,垂直的版图转角,最终在硅片上曝光成像时不可避免都会产生圆化失真现象。这种转角失真,如果没有得到很好的修正补偿,往往会导致诸多问题,例如引起图形转角尺寸缩减,对上下层的对准以及面积覆盖率均会产生不利影响,严重时将导致许多符合设计规则,版图上看似安全的结构,在工艺制程中变成实际窗口不足的工艺热点。如附图1所示的金属层转角圆化,导致其与通孔层的覆盖面积减小,出现覆盖率不足的问题。为了避免转角失真,业内通常采用光学临近修正(OPC)方式来进行修正,OPC修正法在现有技术中的应用主要包括添加衬线(serif)结构的基于规则的光学临近修正方式(rule-based OPC),以及基于模型的光学临近修正方式(model-basedOPC)。
早期在基于规则的光学临近修正时,常通过添加衬线结构来改善转角圆化,所添加的衬线大小一般根据经验值选定,或通过设计测试图形,实际量测wafer数据来确定,但在图形尺寸越做越小时,这种简单的给Mask打补丁的方式已不再适用,因为光学临近效应在小尺寸时更趋明显,不同位置及环境下所需添加的衬线大小,不能再依靠简单经验或有限的量测结构来确定,很容易出现补偿过度或不足,如附图2所示。
虽然基于模型的光学临近修正看起来是一个可行的解法,它可以根据不同的环境做预测修正,但在使用基于模型的光学临近修正时,转角处的补偿效果会受到OPC修正分段的影响及限制,理论上分段越精细修正效果越好,但在实际应用中,边界分段需要同时保证合理的运算时间,以及较好的全局修正结果,一般不做非常小的分段;另外由于转角与直边之间存在竞争关系,当尽量减小转角失真时,会导致直边的起伏震荡,修正结果变差,因此,在基于模型的光学临近修正时要改善转角结果,依然困难重重。
目前鲜有将两者很好结合起来的修正方式。因为,简单的将基于模型的光学临近修正与添加衬线结构做组合,从修正结果来看并不理想,原因是衬线结构所引入的jog短边不仅会影响目标图形的分段,而且甚至会导致修正的结果偏离目标。如附图3所示,较大的衬线结构会直接导致转角凸起,背离直角目标,而较小的衬线结构除了影响分段之外,甚至会导致转角圆化得更严重。因此,需要寻找更有效的基于模型的光学临近修正和添加衬线结构结合在一起的修正方式。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种图形转角的OPC修正方法,通过对不同的转角做添加或挖除矩形修正图形,获得比传统方法更好的转角修正结果,有效减少转角图形失真,解决由于转角严重圆化所导致的叠层误差和覆盖面积不足等工艺热点问题。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:一种图形转角的OPC修正方法,包括以下步骤:
S01:输入含有目标图形的原始版图,其中,位于目标图形中两个邻边夹角为90度的顶点为凸角转角,位于目标图形中两个邻边夹角为270度的顶点为凹角转角,所述凸角转角和凹角转角的两个邻边长度大于该原始版图的最小线宽;
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