[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710651125.4 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN108417550B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 加本拓;右田达夫;渡边慎也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于具有：
第一半导体衬底，将第一布线电极设置在表面；
第一保护层，形成在所述半导体衬底上，且在所述第一布线电极上具有开口部；
第一凸块电极，形成在所述第一保护层的开口部；及
凸块，与所述第一凸块电极接合，且凸块直径为30μm以下；
形成在所述开口部的所述第一凸块电极的底面直径为所述第一保护层的膜厚的1.5倍以下，
所述第一凸块电极在表面形成有凹部，
所述第一凸块电极的上层表面的最上部与最下部之差为1.5μm以下，
所述第一保护层的膜厚为5μm以上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中形成在所述开口部的所述第一凸块电极的底面直径为所述第一保护层的膜厚以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一凸块电极也形成在所述第一保护层上，且所述第一保护层上的所述第一凸块电极的膜厚为3μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述凸块与设置在所述第一半导体衬底的同一表面侧的其他凸块的距离为60μm以下。
5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：
准备在表面具备具有开口部的第一保护层、及形成在所述开口部的第一凸块电极的半导体衬底，且
在所述第一凸块电极接合凸块直径为30μm以下的凸块，
形成在所述开口部的所述第一凸块电极的底面直径为所述第一保护层的膜厚的1.5倍以下，
所述第一凸块电极在表面形成有凹部，
所述第一凸块电极的上层表面的最上部与最下部之差为1.5μm以下，
所述第一保护层的膜厚为5μm以上。
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