[发明专利]一种用于半桥结构的高压侧栅驱动电路

权利要求书

1.一种用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，包括依次连接的窄脉冲产生电路、高压电平移位电路、脉冲滤波电路、RS触发器和栅驱动电路，窄脉冲产生电路将高压侧输入信号HIN的上升沿和下降沿分别转换成两路窄脉冲信号SET和RESET输出给高压电平移位电路，高压电平移位电路将低压区电路的两路窄脉冲信号SET和RESET转换为高压区电路信号VDS和VDR去分别控制高压电平移位电路中的两个高压功率开关器件，高压电平移位电路的两路输出信号与脉冲滤波电路的两个输入信号端相连接，脉冲滤波电路的两个输出信号分别连接RS触发器的置位输入端和复位输入端RS触发器的输出端Q与栅驱动电路的输入端相连接，栅驱动电路的输出信号HO驱动高压侧功率开关器件；其特征在于：

所述脉冲滤波电路包括两条信号通路，第一通路包含第一缓冲电路、第一倒相器单元和第一整形电路，第二通路包含第二缓冲电路、第二倒相器单元和第二整形电路，第一缓冲电路的输入连接高压区电路信号VDS，第二缓冲电路的输入连接高压区电路信号VDR，第一倒相器单元和第二倒相器单元均设有四个端口，分别为第一端口、第二端口、第三端口和第四端口，两个倒相器单元的第一端口分别为两个倒相器单元的输入端，两个倒相器单元的第二端口分别为两个倒相器单元的输出端，两个倒相器单元的第三端口分别为两个倒相器单元的固定电位端，两个倒相器单元的第四端口分别为两个倒相器单元的浮动电位端；第一缓冲电路的输出连接第一倒相器单元的第一端口和第二倒相器单元的第四端口，第二缓冲电路的输出连接第二倒相器单元的第一端口和第一倒相器单元的第四端口，第一倒相器单元的输出连接第一整形电路的输入端，第一整形电路的输出端连接RS触发器的置位输入端第二倒相器单元的输出连接第二整形电路的输入端，第二整形电路的输出端连接RS触发器的复位输入端

2.根据权利要求1所述的用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，其特征在于：第一倒相器单元和第二倒相器单元的第三端口连接供电电源信号或连接地信号，第一倒相器单元和第二倒相器单元的内部结构均包括至少一个倒相器或多个倒相器构成的倒相器链。

3.根据权利要求1或2所述的用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，其特征在于：所述第一缓冲电路包括倒相器500，倒相器500的输入端连接高压区电路信号VDS，倒相器500的输出连接第一倒相器单元的第一端口和第二倒相器单元的第四端口，第一倒相器单元包括PMOS管502和NMOS管503，PMOS管502的栅极和NMOS管503的栅极互连作为第一倒相器单元的第一端口，PMOS管502的漏极和NMOS管503的漏极互连作为第一倒相器单元的的第二端口连接第一整形电路，PMOS管502的源极作为第一倒相器单元的第三端口，NMOS管503的源极作为第一倒相器单元的第四端口；第二缓冲电路包括倒相器501，倒相器501的输入端连接高压区电路信号VDR，倒相器501的输出连接第二倒相器单元的第一端口和第一倒相器单元的第四端口，第二倒相器单元包括PMOS管504和NMOS管505，PMOS管504的栅极和NMOS管505的栅极互连作为第二倒相器单元的第一端口并与第一倒相器单元的第四端口和倒相器501的输出端连接，PMOS管504的漏极和NMOS管505的漏极互连作为第二倒相器单元的第二端口连接第二整形电路，PMOS管504的源极作为第二倒相器单元的第三端口并与第一倒相器单元的第三端口互连，NMOS管505的源极作为第二倒相器单元的第四端口连接第一倒相器单元的第一端口；第一整形电路包括倒相器507和倒相器509串联，倒相器507的输入端连接第一倒相器单元的的第二端口，倒相器509的输出连接RS触发器的置位输入端第二整形电路包括倒相器506和倒相器508串联，倒相器506的输入端连接第二倒相器单元的的第二端口，倒相器508的输出连接RS触发器的复位输入端