[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示器件有效

专利信息
申请号: 201710693135.4 申请日: 2017-08-14
公开(公告)号: CN107329312B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 张俊瑞;向西;左雄灿 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1362
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 制备 方法 显示 器件
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,用于在反射镜和显示图像的功能之间切换,其特征在于,包括:基板以及形成在所述基板上的半透半反层,所述半透半反层靠近显示面板的液晶层设置;

在显示状态下,所述半透半反层将来自所述基板方向的入射光透射至所述液晶层,并通过像素电极层与对盒基板上的公共电极层形成电场,控制液晶层中液晶分子的偏转方向,从而实现正常图像显示;

在作为反射镜状态下,控制背光源关闭不进行显示,所述半透半反层将来自环境中的光线通过液晶层反射到环境中;控制液晶层中液晶的偏转角度,以控制经过液晶层并出射到环境中的光线的强度;

其中,所述半透半反层为导电材料;所述基板包括衬底以及形成在所述衬底上的像素电极层,所述半透半反层与所述像素电极层在所述衬底上的投影重叠;所述半透半反层为导电材料,所述半透半反层的透射率为5%~70%,反射率为15%~75%。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底包括:

形成在基底上的薄膜晶体管阵列;

形成在所述薄膜晶体管阵列上的RGB色阻层和黑色矩阵;

覆盖在所述RGB色阻层和黑色矩阵上的平坦层;

所述像素电极层形成在所述平坦层上,所述像素电极层通过设置在所述RGB色阻层和平坦层上的过孔与所述薄膜晶体管阵列的漏极连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述基板还包括依次形成在所述像素电极层上的绝缘层和公共电极层。

4.一种显示器件,其特征在于,包括背光源、驱动电路、光敏元件、对盒基板、液晶层以及权利要求1至3任一项所述的阵列基板;

所述光敏元件与所述驱动电路连接;

在反光状态下,所述驱动电路根据所述光敏元件反馈的信号调整驱动电压,以控制所述液晶层的液晶偏转。

5.一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板用于在反射镜和显示图像的功能之间切换,其特征在于,所述方法包括:

提供基板;

在所述基板上形成半透半反层,所述半透半反层靠近显示面板的液晶层设置;

在显示状态下,所述半透半反层将来自所述基板方向的入射光透射至所述液晶层,并通过像素电极层与对盒基板上的公共电极层形成电场,控制液晶层中液晶分子的偏转方向,从而实现正常图像显示;

在作为反射镜状态下,控制背光源关闭不进行显示,所述半透半反层将来自环境中的光线通过液晶层反射到环境中;控制液晶层中液晶的偏转角度,以控制经过液晶层并出射到环境中的光线的强度;

其中,所述半透半反层为导电材料;所述基板包括衬底以及形成在所述衬底上的像素电极层,所述半透半反层与所述像素电极层在所述衬底上的投影重叠,所述半透半反层为导电材料,所述半透半反层的透射率为5%~70%,反射率为15%~75%。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述提供基板的步骤,包括:

在基底上形成薄膜晶体管阵列;

在所述薄膜晶体管阵列上形成RGB色阻层和黑色矩阵;

在所述RGB色阻层和黑色矩阵上覆盖平坦层,形成所述衬底;

在所述平坦层上形成所述像素电极层;所述像素电极层通过设置在所述RGB色阻层和平坦层上的过孔与所述薄膜晶体管阵列的漏极连接。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述平坦层上形成像素电极层之后,还包括:

在所述像素电极层上依次形成绝缘层和公共电极层。

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