[发明专利]存储器装置的管理系统及管理方法

说明书

一种存储器装置的管理系统，用以管理一存储器装置。存储器装置具有多个子芯片。各子芯片包括一容纳区块与一数据区块。管理系统包括一处理器以及一热数据追踪装置。处理器耦接至存储器装置。处理器依据子芯片的个别温度从子芯片中选择一目标子芯片。热数据追踪装置耦接至处理器。热数据追踪装置包括多个追踪层。当处理器欲存取储存在数据区块其中之一的一第一原始数据时，热数据追踪装置从处理器取得第一原始数据的一第一原始地址。

技术领域

本发明涉及一种存储器装置的管理系统及管理方法。

背景技术

存储器(memory)可应用于多种电子装置。存储器可分为易失性存储器 (volatilememory)与非易失性存储器(non-volatile memory，NVM)。部分的非 易失性存储器例如闪存(flash memory)、相变存储器(phase-change memory， PCM)等具有热效应(ThermalEffect)。热效应可能影响存储器的耐久度 (endurance)及写入速度(write capability)，例如高温的存储器芯片具有较高 的耐久度及较低的耗能。

因此，善加利用存储器的热效应，以提高存储器的可靠度(reliability) 及性能(performance)，已然成为一个重要的课题。

发明内容

本发明实施例揭露一种存储器装置的管理系统。管理系统用以管理一 存储器装置。存储器装置具有多个子芯片。各子芯片包括一容纳区块与一 数据区块。管理系统包括一处理器以及一热数据追踪装置。处理器耦接至 存储器装置。处理器依据子芯片的个别温度从子芯片中选择一目标子芯片。 热数据追踪装置耦接至处理器。热数据追踪装置包括多个追踪层。当处理 器欲存取储存在数据区块其中之一的一第一原始数据时，热数据追踪装置 从处理器取得第一原始数据的一第一原始地址。当热数据追踪装置判断第 一原始地址已记录于热数据追踪装置的追踪层其中之一时，热数据追踪装 置依据记录有第一原始地址的追踪层的一当前追踪层指示处理器于目标 子芯片的容纳区块内存取对应于第一原始数据的一第一复制数据。当热数 据追踪装置判断第一原始地址未记录于热数据追踪装置时，处理器依照第 一原始地址从数据区块内存取第一原始数据。

本发明实施例揭露一种存储器装置的管理方法。管理方法用以管理一 存储器装置。存储器装置具有多个子芯片，各子芯片包括一容纳区块与一 数据区块。管理方法包括下列步骤：一处理器依据子芯片的个别温度选择 一目标子芯片；当处理器欲存取在数据区块其中之一的一第一原始数据时， 一热数据追踪装置取得第一原始数据的一第一原始地址；当热数据追踪装 置判断第一原始地址已记录于多个追踪层其中之一时，处理器依据记录有 第一原始地址的追踪层的一当前追踪层，于目标子芯片的容纳区块内存取 对应于第一原始数据的一第一复制数据；当热数据追踪装置判断第一原始 地址未记录于追踪层时，处理器依照第一原始地址从数据区块内存取第一 原始数据。

为了对本发明上述及其他方面有更佳的了解，下文特列举实施例，并 配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1绘示依据本发明实施例的存储器装置的管理系统的系统方块图。

图2绘示依据本发明实施例的存储器装置的系统方块图。

图3A绘示依据本发明实施例的热数据追踪装置的系统方块图。

图3B绘示依据本发明实施例的追踪层与子容纳区块的映射关系的示 意图。

图4A～图4C绘示依据本发明实施例的存储器装置的管理方法的流程 图。

图5～图15绘示依据本发明实施例的存储器装置的管理方法的各操作 示意图。

【符号说明】

1：管理系统

110：处理器

130：热数据追踪装置