[发明专利]一种LED外延结构及其制作方法

权利要求书

1.一种LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供图形化衬底，所述图形化衬底包括平面区域和相对于所述平面区域凸起的凸起结构；

在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，所述缓冲层与所述凸起结构之间具有间隙；

所述在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，具体包括：

在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长一层绝缘材料层；

在所述绝缘材料层表面涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第一掩膜；

以所述第一掩膜为掩膜板，对所述绝缘材料层进行刻蚀，去掉所述凸起结构上的绝缘材料层，并保留所述图形化衬底平面区域的绝缘材料层，形成缓冲层。

2.根据权利要求1所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长一层绝缘材料层，具体为：

采用磁控溅射工艺在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长所述绝缘材料层。

3.根据权利要求1或2所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述缓冲层和所述凸起结构上依次外延生长第一型导电层、有源区结构、第二型导电层和欧姆接触层。

4.根据权利要求3所述的LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述提供图形化衬底，具体包括：

提供蓝宝石衬底；

干法蚀刻或湿法蚀刻在所述蓝宝石衬底表面进行蚀刻，形成图形化蓝宝石衬底。

5.一种LED外延结构，其特征在于，采用权利要求1-4任意一项所述的LED外延结构的制作方法形成，所述LED外延结构包括：

图形化衬底，所述图形化衬底包括平面区域和相对于所述平面区域凸起的凸起结构；

位于所述平面区域的缓冲层，所述缓冲层为氮化铝层；

其中，所述缓冲层与所述凸起结构之间具有间隙。

6.根据权利要求5所述的外延结构，其特征在于，所述图形化衬底为图形化蓝宝石衬底。