[发明专利]一种LED外延结构及其制作方法

说明书

本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙。仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时，引入高的应力，使得LED外延结构的晶体质量明显提升，避免了不同晶面晶核联接时产生的应力，进而解决了外延材料因应力增加导致的翘曲异常的问题。

技术领域

本发明属于光电子技术领域，尤其涉及一种LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)外延结构及其制作方法。

背景技术

LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同，可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。

LED制作过程中，通常包括提供衬底，在衬底上依次外延LED外延结构。随着LED制作工艺的不断提升，在衬底上先制作一层缓冲层，能够提高LED的光电性能。

但是现有技术中缓冲层的增加，导致后续外延LED外延结构的材料应力增加，造成LED外延结构翘曲异常的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种LED外延结构及其制作方法，以解决现有技术中增加设置缓冲层后，出现LED外延结构材料应力增加，造成LED外延结构翘曲异常的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LED外延结构的制作方法，包括：

提供图形化衬底，所述图形化衬底包括平面区域和相对于所述平面区域凸起的凸起结构；

在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，所述缓冲层与所述凸起结构之间具有间隙。

优选地，所述在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，具体包括：

在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长一层绝缘材料层；

在所述绝缘材料层表面涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第一掩膜；

以所述第一掩膜为掩膜板，对所述绝缘材料层进行刻蚀，去掉所述凸起结构上的绝缘材料层，并保留所述图形化衬底平面区域的绝缘材料层，形成缓冲层。

优选地，所述在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长一层绝缘材料层，具体为：

采用磁控溅射工艺在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上生长所述绝缘材料层。

优选地，所述在所述图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，具体包括：

在所述图形化衬底的平面区域和凸起结构上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第二掩膜；

以所述第二掩膜为掩膜板，在所述图形化衬底的平面区域形成缓冲层。

优选地，所述以所述第二掩膜为掩膜板，在所述图形化衬底的平面区域形成缓冲层，具体为：

以所述第二掩膜为掩膜板，采用磁控溅射工艺在所述图形化衬底的平面区域形成缓冲层，

优选地，所述的LED外延结构的制作方法还包括：

在所述缓冲层和所述凸起结构上依次外延生长第一型导电层、有源区结构、第二型导电层和欧姆接触层。

优选地，所述提供图形化衬底，具体包括：