[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于具备：

第1存储单元阵列，包含在第1方向上积层的多个第1电极层、及在所述第1方向上贯通所述多个第1电极层的第1半导体柱；

第1接触插塞，在所述第1存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸，且电连接在所述第1半导体柱；

第2存储单元阵列，包含在所述第1方向上积层的多个第2电极层、及在所述第1方向上贯通所述多个第2电极层的第2半导体柱，且相对于所述第1存储单元阵列配置在所述第1方向；

第2接触插塞，在所述第2存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸，且电连接在所述第2半导体柱及所述第1接触插塞；及

连接垫，设置在所述第1存储单元阵列和所述第2存储单元阵列的接合面，将所述第1接触插塞和所述第2接触插塞电连接。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于还具备驱动所述第1存储单元阵列及所述第2存储单元阵列的电路，且

所述第1存储单元阵列设置在所述第2存储单元阵列和所述电路之间。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于还具备：

配线，电连接在所述第2接触插塞；及

连接导体，设置在包围所述第1存储单元阵列及所述第2存储单元阵列的外周区域，且将所述电路和所述配线电连接。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于：所述连接导体具有：第1导体部，设置在所述第1存储单元阵列的外周区域；第2导体部，设置在所述第2存储单元阵列的外周区域；及接头部，设置在所述第1导体部和所述第2导体部之间；且

所述接头部设置为：在和所述第1方向正交的第2方向上，靠近所述第1导体部的端部的宽度、及靠近所述第2导体部的端部的宽度大于它们的中间部的宽度。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于还具备第3接触插塞，在所述第1存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸，

所述第1存储单元阵列还包含电连接在所述第1半导体柱的一端的配线层，且

所述第3接触插塞电连接在所述配线层。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于：所述配线层具有积层有金属层和半导体层的构造，且

所述第1半导体柱连接在所述半导体层。

7.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于：所述第1接触插塞以贯通所述配线层的方式配置，且

所述第1接触插塞与所述配线层电绝缘。

8.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述连接垫位于所述第1半导体柱和所述第2半导体柱之间。

9.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述连接垫位于所述第1接触插塞和所述第2接触插塞之间。

10.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：

所述第1存储单元阵列还包含配置在包围所述接合面的外周区域的金属图案，且

所述第1存储单元阵列的所述金属图案的面积相对于所述外周区域的面积的比率，大于所述连接垫的面积相对于所述接合面的面积的比率。

11.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述第1接触插塞以在所述第1方向上贯通所述多个电极层的方式设置。

12.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述第1存储单元阵列还包含在所述第1方向上积层的多个其他第1电极层，

所述多个其他电极层相对于所述多个第1电极层配置在和所述第1方向交叉的第3方向，所述第1接触插塞设置在所述多个第1电极层和所述多个其他第1电极层之间。