[发明专利]一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺有效
| 申请号： | 201710816709.2 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107354513B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 吕菲;张伟才;常耀辉;王云彪;窦连水;刘洋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/08;C23F1/24 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 稳定 晶片 腐蚀 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺，其特征在于：将锗单晶片浸入由氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸和去离子水配制而成的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间为为3min20s~3min40s，腐蚀温度保持在50℃~53℃；所述腐蚀液中氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸、去离子水的体积比为NH4OH：H2O2：HF：DIW=1：2：3：5；所述氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为氢氟酸40±1%、过氧化氢30±1%、氢氧化铵25±1%。
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