[发明专利]包括传热块的半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片设置在互连层上并且彼此横向间隔开；

传热块，所述传热块设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间以安装在所述互连层上；

密封剂，所述密封剂填充所述传热块与所述第一半导体芯片之间和所述传热块与所述第二半导体芯片之间的空间并且覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的侧壁；以及

散热层，所述散热层连接至所述传热块的与所述互连层相反的顶表面并且延伸以覆盖所述密封剂的顶表面，

其中，所述传热块被构造为减小施加到所述半导体封装的热应力。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，

其中，所述传热块被构造成通过包括块主体来减小施加到所述半导体封装的热应力，所述块主体包括热导率高于所述密封剂的材料的热导率的材料。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，

其中，所述传热块包括块主体，并且

其中，所述传热块被构造为通过利用块主体的体积减少所述密封剂的总量来减小施加到所述半导体封装的热应力。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，

其中，所述传热块包括块主体，并且

其中，所述传热块被构造为通过包括块主体来减小施加到所述半导体封装的热应力，所述块主体的热膨胀系数基本等于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的热膨胀系数。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，

其中，所述传热块被构造为通过包括以下材料来减小施加到所述半导体封装的热应力，所述材料被构造为抑制由于块主体与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的热膨胀系数之间的差异所引起的热应力而在所述半导体封装中产生的缺陷。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，

其中，所述传热块包括块主体，并且

其中，所述传热块被构造为通过包括具有半导体材料的块主体来减小施加到所述半导体封装的热应力。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述传热块包括：

块主体，所述块主体被构造为具有面向所述散热层的顶表面和面向所述互连层的底表面；以及

多个通孔，所述多个通孔穿透所述块主体，

其中，所述多个通孔的上端暴露在所述块主体的顶表面处，并且所述多个通孔的下端暴露在所述块主体的底表面处。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述块主体具有硅裸片的形状。

9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述块主体具有在与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片所排列的方向基本垂直的方向上比所述第一半导体芯片的宽度和所述第二半导体芯片的宽度大的宽度。

10.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述多个通孔包括热导率比所述块主体的热导率高的材料。

11.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述多个通孔包括金属材料。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述多个通孔包括铜材料。