[发明专利]一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法

权利要求书

1.一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法，其特征在于，所述石墨复合物薄膜材料是以硅油和低碳烃气体为原料，经等离子体增强化学气相沉积法直接生长获得。

2.根据权利要求1所述的一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A，将硅油用开口容器盛好置于PECVD设备反应管输入端、且位于第一加热炉位置处；将底衬样品置于样品托上，然后将样品托放置于PECVD设备反应管输出端、且位于第二加热炉位置处；

步骤B，将所述PECVD设备密封，通过抽气泵在输出端口对反应管进行抽真空；

步骤C，由所述输入端口通入低碳烃气体；

步骤D，开启第一加热炉，升温使硅油蒸汽挥发出，并与通入的低碳烃气体在抽气泵作用下流向输出端；开启第二加热炉进行加热；

步骤E，开启等离子体产生设备，所述硅油蒸汽与低碳烃混合气体经过感应线圈时被激发为等离子体，并在经过输出端第二加热炉的高温环境，在底衬样品上直接生长出所述石墨复合物薄膜材料。

3.根据权利要求1或2任一项所述的一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法，其特征在于，所述硅油包括聚二甲基硅氧烷。

4.根据权利要求1或2任一项所述的一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法，其特征在于，所述低碳烃气体包括甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯或乙炔中的一种。

5.根据权利要求2所述的一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法，其特征在于，所述步骤D和E中，保持反应管内真空度为10～30Pa。

6.根据权利要求2所述的一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法，其特征在于，所述步骤C中，低碳烃气体的流量为5～50sccm。

7.根据权利要求2所述的一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法，其特征在于，所述第一加热炉的加热温度为260～300℃。

8.根据权利要求2所述的一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法，其特征在于，所述第二加热炉的加热温度为550～700℃。

9.根据权利要求2所述的一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法，其特征在于，所述底衬样品采用二氧化硅、石英、玻璃、云母、蓝宝石或石墨中的一种。