[发明专利]熔丝结构及其制造方法

权利要求书

1.一种熔丝结构，其包括：

阳极图案，其形成在半导体衬底上；

阴极图案，其形成在阳极图案上；以及

连接构件，其从阳极图案延伸至阴极图案，用于将阳极图案与阴极图案连接，

其中，连接构件具有宽度不同的至少两个区域，以及由于所述至少两个区域的宽度差异而形成在所述至少两个区域之中的一个区域中的空隙，

其中，连接构件具有十字形，并且空隙定位于具有较大宽度的十字形的中心位置处。

2.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，连接构件包括具有第一宽度的第一区域和具有比第一宽度更大的第二宽度的第二区域，并且空隙形成在第二区域中。

3.根据权利要求2所述的熔丝结构，其中，第二区域定位于连接构件的中心部分处。

4.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，熔丝结构具有大体上的I形状，具有阳极图案、阴极图案和连接构件，阳极图案和阴极图案是大体上彼此平行的细长构件，连接构件是大体上垂直于阳极图案和阴极图案的细长构件。

5.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，

阳极结构直接形成在底层上，

底层直接形成在半导体衬底上，至少两个绝缘层形成在阳极和阴极图案之间，并且

连接构件穿过至少两个绝缘层，用于连接阳极图案和阴极图案。

6.根据权利要求5所述的熔丝结构，其中，

所述至少两个绝缘层包括三个绝缘层，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层顺序地形成在阳极图案与阴极图案之间，第一绝缘层直接在阳极图案上，而第三绝缘层直接在阴极图案之下，

相对于第一刻蚀剂，第二绝缘层具有与第一绝缘层和第三绝缘层大体上相同的刻蚀选择性，以及

相对于第二刻蚀剂，第二绝缘层具有比第一绝缘层和第三绝缘层更快的刻蚀选择性。

7.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，连接构件从阳极图案的上表面垂直地延伸至阴极图案的下表面。

8.一种熔丝结构，其包括：

阳极图案，其形成在半导体衬底上；

阴极图案，其形成在阳极图案上；以及

连接构件，其从阳极图案延伸至阴极图案，用于将阳极图案与阴极图案连接，

其中，连接构件包括具有第一宽度的第一区域和具有比第一宽度更大的第二宽度的第二区域，在第二区域中形成有一空隙；

其中，第二区域定位于与阴极图案相邻的连接构件的上部。

9.一种熔丝结构，其包括：

第一电极，其在半导体衬底上；

至少两个绝缘层，它们顺序地层叠在第一电极上；

连接构件，其经由至少两个绝缘层而在第一电极上；以及

第二电极，其在连接构件和至少两个绝缘层上，

其中，连接构件包括具有第一宽度的第一部分和具有比第一宽度更大的第二宽度的第二部分，

其中，第二部分定位于与第二电极相邻的连接构件的上部。

10.一种熔丝结构，其包括：

第一电极，其在半导体衬底上；

至少两个绝缘层，它们顺序地层叠在第一电极上；

连接构件，其经由至少两个绝缘层而在第一电极上；以及

第二电极，其在连接构件和至少两个绝缘层上，

其中，连接构件包括具有第一宽度的第一区域和具有比第一宽度更小的第二宽度的第二区域，

其中，第二区域和第二区域的具有空隙的外围区域用作断裂目标。