[发明专利]一种n‑p‑p+结构电池的制备方法

权利要求书

1.一种n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

1)对p型硅片进行抛光去损伤处理；

2)将两片步骤1)得到的p型硅片背靠背放置后，将其放置在硼掺杂源的氛围中扩散或采用旋涂方式进行掺杂；

3)去除步骤2)得到的p型硅片的硼硅玻璃，在p型硅片的背面形成p+层；

4)采用背钝化设备在步骤3)得到的p型硅片的p+层表面制备AlOx/SiNx钝化层，对p+层进行钝化；

5)将步骤4)得到的p型硅片的钝化层表面上再次制备一层氮化硅；

6)在步骤5)得到的p型硅片的正面制备绒面；

7)在步骤6)得到的p型硅片的正面进行磷离子掺杂，在p型硅片的正面形成n层，制备pn结；

8)去除步骤7)得到的p型硅片的边缘pn结及去除其表面的磷硅玻璃；

9)在步骤8)得到的p型硅片的正面制备正面钝化减反层；

10)在步骤9)得到的p型硅片的背面进行激光开槽；

11)对步骤10)得到的p型硅片进行丝网印刷电极并烧结，形成n-p-p+结构电池。

2.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，对p型硅片进行抛光处理的去损量为3～15um。

3.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中，掺杂源为气态BBr3，掺杂方阻为30～80Ω/□。

4.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤3)中，采用链式清洗设备去除步骤2)得到的p型硅片的硼硅玻璃。

5.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤4)中，AlOx厚度为5～40nm，SiNx厚度为50～200nm。

6.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤4)中，所述背钝化设备为PECVD或ALD，在所述步骤5)中，采用PECVD方式在所述步骤4)得到的p型硅片的钝化层表面上再次制备一层氮化硅。

7.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤5)中，第二层氮化硅层厚度为30～100nm。

8.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤6)中，采用化学腐蚀方式在所述步骤5)得到的p型硅片的正面制备绒面。

9.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，所述步骤7)具体为，将所述步骤6)得到的p型硅片的正面通过三氯氧磷管式扩散制备发射极，发射极方块电阻60～120Ω/□。

10.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，所述步骤8)具体为，采用等离子刻蚀去除所述步骤7)得到的p型硅片的边缘pn结，之后再将其放置于HF溶液中浸泡去除其表面的磷硅玻璃。