[发明专利]一种太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

对制绒后的单晶硅片进行氧化，在所述单晶硅片表面生成SiO₂膜，并在所述SiO₂膜的表面镀一层硅膜；

在所述硅膜表面沉积PSG，并除去所述硅膜表面预设区域内的所述PSG；

在所述预设区域内沉积BSG，在所述硅膜的表面形成所述PSG和所述BSG相间的区域；

以所述PSG和所述BSG作为P源和B源的扩散推进，获得N型掺杂层和P型掺杂层交替分布的太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述SiO₂膜表面镀一层硅膜包括：

在所述SiO₂膜的表面镀本征微纳米硅膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述SiO₂膜的表面镀本征微纳米硅膜包括：

在290℃-310℃温度下，在SiH₄的气体氛围中，通过LPCVD沉积在所述SiO₂膜表面生成45nm-55nm厚的本征微纳米硅膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述单晶硅片表面生成SiO₂膜包括：

在70℃-80℃的温度下，通过化学混合液在所述单晶硅片表面生成3nm-5nm厚的所述SiO₂膜，其中，所述化学混合液为HCl、H₂O₂和H₂O的混合液，且HCl：H₂O₂：H₂O的体积比为1：(0.5-1.5)：(4.5-5.5)。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述硅膜表面沉积PSG包括：

在240℃-260℃的温度下，在POCl₃、SiH₄和O₂的第一混合气体氛围中，通过APCVD在所述硅膜表面沉积PSG，沉积时间持续25min-35min，其中，POCl₃占所述第一混合气体总体积的4％-6％。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述除去所述硅膜表面的预设区域内的所述PSG包括：

通过激光在所述预设区域内进行激光开模，除去所述预设区域内的所述PSG。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述预设区域内沉积BSG包括：

在240℃-260℃的温度下，在B₂H₆、SiH₄和O₂的第二混合气体氛围中，通过APCVD在所述预设区域内沉积BSG，沉积时间持续25min-35min，其中，B₂H₆占所述第二混合气体总体积的4％-6％。

8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述以所述PSG和所述BSG作为P源和B源的扩散推进，获得N型掺杂层和P型掺杂层交替分布的太阳能电池包括：

在900℃-1000℃的温度下，以所述PSG和所述BSG分别作为P源和B源扩散推进1h-2h。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在以所述PSG和所述BSG作为P源和B源的扩散推进1h-2h之后，还包括：

除去扩散推进后所述PSG和所述BSG在N型掺杂层和P型掺杂层表面的残留物。