[发明专利]半导体批处理生产设备及半导体批处理系统有效
申请号: | 201710928112.7 | 申请日: | 2017-10-09 |
公开(公告)号: | CN109637946B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 批处理 生产 设备 系统 | ||
1.一种半导体批处理生产设备,其特征在于,所述半导体批处理生产设备包括:
反应腔室;
晶圆加载区,具有加载互锁真空装置,且连接至所述反应腔室;
晶舟承载器,用于承载晶舟,并带动所述晶舟在所述反应腔室和所述晶圆加载区之间移动;及,
感应侦测装置,位于所述晶舟承载器上,所述感应侦测装置包括水平传感器、振动传感器及存储比较器;所述水平传感器位于所述晶舟承载器上,用于感应侦测所述晶舟承载器的水平状态;所述振动传感器位于所述晶舟承载器上,用于感应侦测所述晶舟承载器的振动状态;所述水平传感器包括水平感应模块和第一存储比较模块,所述第一存储比较模块存储所述晶舟承载器的基准水平值并与所述水平感应模块所感应侦测到的所述晶舟承载器的水平值进行比较;所述振动传感器包括振动感应模块和第二存储比较模块,所述第二存储比较模块存储所述晶舟承载器的基准振动值并与所述振动感应模块所感应侦测到的所述晶舟承载器的振动值进行比较;
或,所述感应侦测装置包括水平传感器、振动传感器及存储比较器;所述水平传感器位于所述晶舟承载器上,用于感应侦测所述晶舟承载器的水平状态;所述振动传感器位于所述晶舟承载器上,用于感应侦测所述晶舟承载器的振动状态;所述存储比较器与所述水平传感器及所述振动传感器相连接,用于存储基准水平值及基准振动值,并将所述水平传感器感应侦测的所述晶舟承载器的水平值与所述基准水平值进行比较,且将所述振动传感器感应侦测的所述晶舟承载器的振动值与所述基准振动值进行比较;
或,所述感应侦测装置包括水平传感器、振动传感器、压力传感器及存储比较器,所述水平传感器位于所述晶舟承载器上,用于感应侦测所述晶舟承载器的水平状态;所述振动传感器位于所述晶舟承载器上,用于感应侦测所述晶舟承载器的振动状态;所述压力传感器位于所述晶舟承载器上,用于感应侦测所述晶舟承载器的压力状态;所述存储比较器与所述水平传感器、所述振动传感器及所述压力传感器相连接,用于存储基准水平值、基准振动值及基准压力值,并将所述水平传感器感应侦测的所述晶舟承载器的水平值与所述基准水平值进行比较,且将所述振动传感器感应侦测的所述晶舟承载器的振动值与所述基准振动值进行比较,且将所述压力传感器感应侦测的所述晶舟承载器的压力值与所述基准压力值进行比较。
2.根据权利要求1所述的半导体批处理生产设备,其特征在于:所述晶舟承载器包括放置晶舟的水平承载台及带动所述晶舟旋转的旋转轴,所述感应侦测装置位于所述水平承载台的下表面。
3.根据权利要求1所述的半导体批处理生产设备,其特征在于:所述晶舟承载器包括放置晶舟的水平承载台及带动所述晶舟旋转的旋转轴,所述旋转轴外部有密封外壳,所述感应侦测装置位于所述密封外壳的外壁上。
4.根据权利要求1所述的半导体批处理生产设备,其特征在于:所述感应侦测装置还包括报警装置,所述报警装置与所述存储比较器相连接,用于在所述水平传感器感应侦测的所述晶舟承载器的水平值与所述基准水平值不匹配或/和所述振动传感器感应侦测的所述晶舟承载器的振动值与所述基准振动值不匹配时发出报警信息。
5.根据权利要求1所述的半导体批处理生产设备,其特征在于:所述感应侦测装置还包括报警装置,所述报警装置与所述水平传感器及所述振动传感器相连接,用于在所述水平感应模块感应侦测的所述晶舟承载器的水平值与所述基准水平值不匹配或/和所述振动感应模块感应侦测的所述晶舟承载器的振动值与所述基准振动值不匹配时发出报警信息。
6.根据权利要求1所述的半导体批处理生产设备,其特征在于:所述水平传感器为电子式水平传感器;所述振动传感器为光学式振动传感器或电测式振动传感器。
7.一种半导体批处理系统,其特征在于,所述半导体批处理系统包括:
如权利要求1所述的半导体批处理生产设备;及
监控装置,与所述半导体批处理生产设备无线连接,用于接收并显示所述半导体批处理生产设备上的感应侦测装置感应侦测的所述晶舟承载器的水平值和振动值。
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