[发明专利]一种晶硅太阳能电池处理方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池处理设备的处理方法，其特征在于，包括：

将预处理腔室的待处理基板进行氧化处理；

将氧化处理后的基板传输至镀膜沉积腔室中；

在所述镀膜沉积腔室中对所述基板进行镀膜沉积。

2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述预处理腔室氧化处理过程保持真空状态，或所述预处理腔室氧化处理过程保持非真空状态。

3.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述预处理腔室氧化处理过程保持真空状态，是先将所述待处理的基板传输至装载腔室中，打开蝶阀控制单元，对所述装载腔室抽真空，其次将所述基板传输至所述预处理腔室中，在所述预处理腔室中进行加热，然后打开气流控制单元，通入气体源以生成氧化硅薄膜，然后将所述待处理的基板传输至镀膜沉积腔中，在所述镀膜沉积腔对所述基板进行镀膜沉积。

4.如权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述的气体源为O3或N2或O2或惰性气体，所述惰性气体起稀释作用，所述惰性气体为N2。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述气体源O3、N2O、O2中的一种或多种气体的通入量为200sccm-5000sccm，同时通入所述惰性气体N2。

6.如权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述预处理腔室的加热温度是100℃-600℃。

7.如权利要求6所述的处理方法，其特征在于，所述气体源的通入时间是10s-600s。

8.如权利要求7所述的处理方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的厚度是3nm-30nm。

9.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述预处理腔室氧化处理过程保持非真空状态，是先将所述基板传输至所述装载腔室，打开蝶阀控制单元，对所述装载腔室抽真空，其次将所述基板传输至预处理腔室进行充气升压，然后将待处理基板加热，打开气流控制单元通入气体源进行氧化处理，生成氧化硅薄膜，完成后对预处理腔体抽真空，再次将所述待处理的基板传输至镀膜沉积腔中，在所述镀膜沉积腔对所述基板进行镀膜沉积。

10.如权利要求9所述的处理方法，其特征在于，所述的气体源为O3或O2或N2O或惰性气体，所述惰性气体起稀释作用，所述惰性气体为N2。

11.如权利要求10所述的处理方法，其特征在于，所述气体源O3、N2O、O2中的一种或多种气体的通入量为500sccm-5000sccm。

12.如权利要求11所述的处理方法，其特征在于，所述预处理腔室的加热温度是100℃-600℃。

13.如权利要求12所述的处理方法，其特征在于，所述气体源的通入时间是10s-600s。

14.如权利要求13所述的处理方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的厚度是3nm-30nm。

15.如权利要求8、14所述的处理方法，其特征在于，所述镀膜沉积腔包括正面减反膜沉积腔，所述减反膜为氮化硅膜或氮氧化硅膜与氮化硅膜所构成的双层膜。

16.如权利要求8、14所述的处理方法，其特征在于，所述镀膜沉积腔包括钝化膜沉积腔、背面减反膜沉积腔或正面减反膜沉积腔中的一种或多种。