[发明专利]电平位移器

权利要求书

1.一种电平位移器，其包括：

输入端，其在输入电压域中操作；

反相器电路，其在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号；

中间电路，其在中间电压域中操作用于产生中间信号；

输出缓冲器电路，其用于基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生输出信号，其中所述经反相的输入信号与所述中间信号被传输至所述输出缓冲器电路，其中所述输出缓冲器电路包括第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管堆叠设置；

输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号；及

电压降电路，其在所述输出电压域中操作，并施加电压降到输出电压以产生所述中间电压域的中间电压，

其中所述中间电压经施加到所述中间电路，且所述输出电压经施加到所述输出缓冲器电路，其中所述第一晶体管的阈值电压大于所述输出电压与所述中间电压的电压差，

其中所述第一晶体管的漏极耦接所述第二晶体管的源极，以及所述第二晶体管的漏极耦接所述第三晶体管的源极，

其中所述第一晶体管的闸极、所述第二晶体管的闸极与所述第三晶体管的闸极分别用于接收所述中间信号、所述经反相的输入信号与所述经反相的输入信号，

或者所述第一晶体管的所述闸极、所述第二晶体管的所述闸极与所述第三晶体管的所述闸极分别用于接收所述经反相的输入信号、所述中间信号与所述中间信号。

2.根据权利要求1所述的电平位移器，其中所述中间电路包括两个下拉NMOS晶体管、两个交叉耦合PMOS晶体管及所述两个下拉NMOS晶体管与所述两个交叉耦合PMOS晶体管之间的堆叠式PMOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的电平位移器，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管为PMOS晶体管，及所述第三晶体管为NMOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的电平位移器，其中所述输出缓冲器电路包括两个输入端且所述中间信号经施加到一个输入端且所述经反相的输入信号经施加到另一输入端。

5.根据权利要求1所述的电平位移器，其中输入电压经施加到所述反相器电路。

6.根据权利要求5所述的电平位移器，其中所述输入电压等于、小于或大于所述输出电压。

7.根据权利要求5所述的电平位移器，其中所述中间电压小于所述输出电压且大于所述输入电压。

8.根据权利要求1所述的电平位移器，其中所述电压降电路包括经配置为二极管的MOS晶体管，其用于产生所述电压降。

9.根据权利要求1所述的电平位移器，其中当所述输入端从逻辑低值变为逻辑高值时，存在从所述输入端到所述输出端的两栅极延迟。

10.根据权利要求1所述的电平位移器，其中所述电平位移器的总栅极延迟小于3栅极延迟。