[发明专利]电平位移器

说明书

本发明实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。所述电平位移器进一步包含反相器电路，所述反相器电路在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号。所述电平位移器还包含中间电路，所述中间电路在中间电压域中操作用于产生中间信号。输出缓冲器电路至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生所述输出信号。

技术领域

本公开涉及半导体装置且更确切来说涉及能够达成输入电压域与输出电压域之间的增大电压差的电平位移器半导体装置。

背景技术

电平位移器是能够在第一电压域中接收数字输入信号且在第二电压域中输出对应数字信号的半导体装置。第二电压域可高于或低于第一电压域。通常，在电路中具有不同电压需求的电路部分之间利用此电平位移器。以此方式，能够在较低电压域中操作的电路部分在所述较低电压域下操作，且被要求在较高电压域下操作的电路部分可在所述较高电压域内操作。电平位移器与两个电路部分介接，因此其可彼此通信。

发明内容

本发明的实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；反相器电路，其在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号；中间电路，其在中间电压域中操作用于产生中间信号；输出缓冲器电路，其用于至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生输出信号；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。

本发明的实施例涉及一种电平位移器，其包括：反相器电路，其在输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号；中间电路，其用于接收所述输入信号且在中间电压域中产生中间信号，所述中间电路包括两个下拉NMOS晶体管、两个交叉耦合PMOS晶体管及所述下拉NMOS晶体管与所述交叉耦合PMOS晶体管之间的堆叠式PMOS晶体管；及输出缓冲器电路，其用于至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而在输出电压域中产生输出信号，所述输出缓冲器电路包括至少两个输入端、两个堆叠式PMOS晶体管及NMOS晶体管。

本发明的实施例涉及一种用于操作电平位移器的方法，其包括：在输入电压域中接收输入信号；通过使所述输入信号反相而在所述输入电压域中产生第一中间信号；在中间电压域中产生第二中间信号；及至少部分基于所述第一中间信号及所述第二中间信号而在输出电压域中产生输出信号。

附图说明

在结合附图阅读时，从下文详细描述最优选地理解本公开的方面。应注意，根据标准工业实践，各个装置未按比例绘制。事实上，为了清晰论述起见，可任意地增大或减小各个装置的尺寸。

图1是根据一些实施例的电平位移器的实例的框图。

图2是根据一些实施例的电平位移器的第一实例的示意图。

图3是根据一些实施例的电平位移器的第二实例的示意图。

图4是根据一些实施例的电平位移器的第三实例的示意图。

图5是根据一些实施例的电平位移器的第四实例的示意图。

图6是绘示根据一些实施例的电平位移器的操作的流程图。

具体实施方式

下文公开提供用于实施所提供标的物的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本公开。当然，此些仅为实例且并不打算限制。例如，在下文描述中，使第一装置形成于第二装置上方或上可包含其中使所述第一装置及所述第二装置形成为直接接触的实施例，且还可包含其中可在所述第一装置与所述第二装置之间形成额外装置，使得所述第一装置及所述第二装置可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复用于简化及清晰的目的且自身不指示所论述的各项实施例及/或配置之间的关系。