[发明专利]一种导热新材料及其制备方法在审
申请号: | 201711082768.8 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN107698966A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 温九江;袁松平 | 申请(专利权)人: | 广西小草信息产业有限责任公司 |
主分类号: | C08L77/00 | 分类号: | C08L77/00;C08K13/02;C08K3/04;C08K3/36;C08K3/08;C09K5/14 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 杨立,周玉婷 |
地址: | 541004 广西壮族自治区桂林*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导热 新材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及新材料,尤其涉及一种导热新材料及其制备方法。
背景技术
新材料是指新近发展的或正在研发的、性能超群的一些材料,具有比传 统材料更为优异的性能。新材料技术则是按照人的意志,通过物理研究、材 料设计、材料加工、试验评价等一系列研究过程,创造出能满足各种需要的 新型材料的技术。随着科学技术的发展,人们在传统材料的基础上,根据现 代科技的研究成果,开发出新材料。新材料按组分分为金属材料、无机非金 属材料(如陶瓷、砷化镓半导体等)、有机高分子次啊聊、先进复合材料四 大类。按材料性能分为结构材料和功能材料。结构材料主要是利用材料的力 学和理化性能,以满足高强度、高刚度、高硬度、耐高温、耐磨、耐腐蚀、 抗辐射等性能要求;功能材料主要是利用材料具有的电、磁、声、光热等 效应,以实现某种功能,如半导体材料、磁性材料、光敏材料、热敏材料、 隐身材料和制造原子弹、氢弹的核材料等。
新材料的研究一直是我国科研项目的主题,如果能够研发一款成分简 单、原材料价格低廉,且能够达到良好效果的新材料配方,将是对人类的一 大贡献。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种导热新材料及其制备方法,该材 料配方简单,原料价格低廉,制作工艺简单,降低了员工的劳动强度和生产 成本。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
一种导热新材料,按重量份数计,由以下原料组成:金刚石粉13-20份、 硅纳米微粉4-6份、聚酰胺6-10份、甲基咪唑1.5-2.0份、铜3-5份、增粘 剂3-6份。
本发明的有益效果是:本发明将金刚石粉、硅纳米微粉、聚酰胺、甲基 咪唑、铜以及增粘剂按照适当的比例进行组合,配方简单,导热性能好,生 产成本较低;同时,本发明的制作工艺简单,降低了员工劳动的强度,省时 省力,节约了生产成本。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,本发明一个较佳的实施例中,所述导热新材料,按重量份数计, 由以下原料组成:金刚石粉17份、硅纳米微粉5份、聚酰胺8份、甲基咪 唑1.7份、铜4份、增粘剂5份。
采用上述进一步方案的有益效果是在此配比条件下,本发明的导热性能 较佳。
此外,本发明还提供了上述导热新材料的制备方法,包括以下步骤:
S1:将上述金刚石粉、硅纳米微粉、聚酰胺、甲基咪唑、铜以及增
粘剂按照比例加入到高速搅拌机中,高速搅拌机的转速为1000-1200rpm, 使得混合材料的温度升至145℃;
S2:将步骤S1中高速搅拌机中的材料放出,加入到低速搅拌机中降温, 当温度降至65℃时,再搅拌30-40min,混合均匀后出料;
S3:将步骤S2中制成的混合物进行等离子诱导;
其中,所述等离子诱导为:将步骤S2中获得的混合物置入等离子体装 置的下电极介质上,电压24kv、电流1.8mA、间隙3mm的操作条件下照 射35-45s;
S4:将步骤S3处理后的混合物放入单螺杆挤出机中,塑化温度135-165℃,转速29-35rpm,经过两次热压成型,再经风冷即得本发明材料。
上述制备方法的优点为,工艺简单,降低了员工生产过程中的劳动强度, 生产效率提高,节约了生产成本。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于 解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1
本实施例提供一种导热新材料,按重量份计,由以下原料组成:金刚石 粉17份、硅纳米微粉5份、聚酰胺8份、甲基咪唑1.7份、铜4份、增粘 剂5份。
上述导热新材料的制备方法包括以下步骤:
S1:将上述金刚石粉、硅纳米微粉、聚酰胺、甲基咪唑、铜以及增
粘剂按照比例加入到高速搅拌机中,高速搅拌机的转速为1000-1200rpm, 使得混合材料的温度升至145℃;
S2:将步骤S1中高速搅拌机中的材料放出,加入到低速搅拌机中降温, 当温度降至65℃时,再搅拌30-40min,混合均匀后出料;
S3:将步骤S2中制成的混合物进行等离子诱导;
其中,所述等离子诱导为:将步骤S2中获得的混合物置入等离子体装 置的下电极介质上,电压24kv、电流1.8mA、间隙3mm的操作条件下照 射35-45s;
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