[发明专利]一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法

权利要求书

1.一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法，其特征是：它包括以下步骤：

步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；

步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；

步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；

步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中；

步骤五：在所述n组动作时间数据条件下，监测执行器件中的电流情况，分别确定其工作状态；

步骤六：将步骤五所确定的工作状态与预期功能比较，判断是否发生潜通路；

步骤七：根据步骤六中发生潜通路的工作状态所对应的继电器类单机输出状态及动作时间分布情况，计算t时刻潜通路发生的概率；

步骤八：令t=t+1，返回步骤三继续分析下一时刻电路的潜通路状态，直至全部完成，输出结果。

2.根据权利要求1所述的一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法，其特征是：步骤一所述的建立待分析电路定性模型是指将电路中的元件在工作状态下等效成具有一定阻值的电阻；

对于继电器，当触点闭合时其定性阻值为0，触点断开时其定性阻值为∞；对于二极管，导通时其定性阻值为0，截止时其定性阻值为∞；

对于电阻，其定性阻值设为X；

对于线圈，定性阻值设为X；

对于三极管，用一个二极管和一个开关表示。

3.根据权利要求1所述的一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法，其特征是：步骤二所述的激励器件指能够因状态改变而引起电路中电路参数变化的元器件或设备。