[发明专利]一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法

说明书

一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中。本发明用于考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。

技术领域

本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法

背景技术

潜通路是引起非期望事件或抑制所要求事件的潜藏状态，表现为在复杂系统中出现的意外路径或逻辑流，在某些条件下它可能引发不需要的功能或抑制需要的功能。这种路径或逻辑流可能由硬件、软件、操作员的动作、或者这些因素组合造成。潜通路不是硬件故障的结果，与部件的失效无关，属于因设计不完善而导致的系统潜在状态。在设计过程中，设计者往往只考虑系统的功能是否符合操作程序，却没有验证操作程序之外的情况下系统能否正常。为了检验复杂系统在所有输入状态下的功能是否正常，对其开展潜通路分析是切实可行的办法。

继电器类单机因其控制精度高，产品寿命长的特点在工业、国防等领域的电路系统中有着广泛的应用，用于完成供配电、逻辑控制、信号转换等功能。但是，在长期贮存过程中，其内部电磁继电器等元器件将不可避免的发生贮存退化，从而导致继电器类单机的性能参数发生漂移。同时，考虑到继电器类单机加工生产过程中本身的分散性以及退化过程中各种应力条件综合作用导致的退化不确定性，其性能参数的退化过程也将具有一定的分散性。这就导致了在含继电器类单机电路系统的设计过程中，仅针对继电器类单机初始状态的性能参数进行潜通路分析与设计无法保证系统在长期贮存过程中的安全性。因而，本发明提出了一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法，对继电器类单机所在电路系统进行全贮存寿命周期的潜通路分析，确保系统的安全性与可靠性。

发明内容

本发明的目的是提供一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法，通过综合考虑继电器类单机性能参数在贮存过程中的退化以及分布情况，实现对继电器类单机应用电路全贮存寿命周期的潜通路分析，确保电路能够按照预定功能要求可靠运行。

上述的目的通过以下的技术方案实现：

一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法，它包括以下步骤：

步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；

步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；

步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；

步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中；

步骤五：在所述n组动作时间数据条件下，监测执行器件中的电流情况，分别确定其工作状态；

步骤六：将步骤五所确定的工作状态与预期功能比较，判断是否发生潜通路；

步骤七：根据步骤六中发生潜通路的工作状态所对应的继电器类单机输出状态及动作时间分布情况，计算t时刻潜通路发生的概率；

步骤八：令t=t+1，返回步骤三继续分析下一时刻电路的潜通路状态，直至全部完成，输出结果。

所述的一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法，步骤一所述的建立待分析电路定性模型是指将电路中的元件在工作状态下等效成具有一定阻值的电阻；