[发明专利]一种多路径高压摆率环路运放电路及其实现方法有效
| 申请号： | 201711114417.0 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107807707B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 吴建辉;王鹏;孙杰;李红;包天罡;王甫锋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 葛潇敏 |
| 地址： | 210032 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 路径 高压 环路 电路 及其 实现 方法 | ||
1.一种多路径高压摆率环路运放电路，包括三级级联反向器；其特征在于：还包括一个带偏置的反向器，所述带偏置的反向器与三级级联反向器连接；
所述三级级联反向器包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和电阻，其中，第一NMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极连接，并共同作为运放电路的输入端，第一NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极连接，第一NMOS管的源极连接VSS，第一PMOS管的源极连接VDD；第二NMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极连接，并共同连接第一NMOS管的漏极，第二NMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极之间连接电阻，第二NMOS管的源极连接VSS，第二PMOS管的源极连接VDD；第三NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极，第三PMOS管的栅极连接第二PMOS管的漏极，第三NMOS管的源极连接VSS，第三PMOS管的源极连接VDD，第三NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，并共同作为运放电路的输出端；
所述带偏置的反向器包括第五PMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第六NMOS管、第一电容和第二电容，其中，第五PMOS管的栅极与第六PMOS管的漏极连接，并共同连接第一电容的一端，第一电容的另一端连接第二PMOS管的漏极，第五PMOS管的源极与第六PMOS管的源极均连接VDD，第五PMOS管的漏极连接运放电路的输出端，第六PMOS管的栅极连接第一复位时钟信号；第五NMOS管的栅极与第六NMOS管的漏极连接，并共同连接第二电容的一端，第二电容的另一端连接第二NMOS管的漏极，第五NMOS管的源极与第六NMOS管的源极均连接VSS，第五NMOS管的漏极连接运放电路的输出端，第六NMOS管NM6的栅极连接第二复位时钟信号，其中，第一、第二复位时钟信号为相反信号。
2.如权利要求1所述的一种多路径高压摆率环路运放电路，其特征在于：所述运放电路闭环工作时，第一NMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极连接第三电容的一端，第三电容的另一端作为运放电路的输入端；第一NMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极还连接第四电容的一端，第四电容的另一端连接运放电路的输出端，运放电路的输出端还经第五电容连接VSS。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711114417.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
