[发明专利]一种改善GOA电路开机大电流的方法

权利要求书

1.一种改善GOA电路开机大电流的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S21、选定一GOA电路；其中，所选GOA电路包括多个级联的GOA结构单元，且每一个单级GOA结构单元均包括上拉控制电路、上拉电路、下传电路、下拉电路、下拉维持电路和自举电容，并在所述每一个单级GOA结构单元上均设有预充点电位信号，以及设有接入各自对应下拉维持电路中各个相同时刻电位相异的第一时钟信号和第二时钟信号；

步骤S22、在所选GOA电路的每一个单级GOA结构单元内的下拉维持电路中，分别确定出各自对应的两个下拉维持子电路及其相应的第一反相器和第二反相器；其中，第一反相器包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第一时钟信号，且源极连接第一电路点；所述第二薄膜晶体管的漏极与栅极相连通，且漏极和栅极均连接所述第一时钟信号，源极连接所述第一薄膜晶体管的栅极；所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极，且栅极连接所述预充点电位信号，源极连接直流低压信号；所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第一电路点，且栅极连接所述预充点电位信号，源极连接所述直流低压信号；所述第二反相器包括第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管和第十薄膜晶体管；所述第七薄膜晶体管的漏极连接所述第二时钟信号，且源极连接第二电路点；所述第八薄膜晶体管的漏极与栅极相连通，且漏极和栅极均连接所述第二时钟信号，源极连接所述第七薄膜晶体管的栅极；所述第九薄膜晶体管的漏极连接所述第八薄膜晶体管的源极，且栅极连接所述预充点电位信号，源极连接所述直流低压信号；所述第十薄膜晶体管的漏极连接所述第二电路点，且栅极连接所述预充点电位信号，源极连接所述直流低压信号；

步骤S23、将所选GOA电路的每一个单级GOA结构单元内的下拉维持电路中第一反相器的第一薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的原有尺寸比例均调整为预设比例，使得所选GOA电路的每一个单级GOA结构单元在包含第一反相器的下拉维持子电路不工作状态下将所设预充点电位信号所在位置的电荷经相应的第一电路点进行放电；和/或

将所选GOA电路的每一个单级GOA结构单元内的下拉维持电路中第二反相器的第七薄膜晶体管和第十薄膜晶体管的原有尺寸比例均调整为所述预设比例，使得所选GOA电路的每一个单级GOA结构单元在包含第二反相器的下拉维持子电路不工作状态下将所设预充点电位信号所在位置的电荷经相应的第二电路点进行放电。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一反相器的第一薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的原有尺寸比例为1：5或1：7；所述第二反相器的第七薄膜晶体管和第十薄膜晶体管的原有尺寸比例为1：5或1：7；所述预设比例为1：2。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

当检测到所选GOA电路异常断电时，则在所选GOA电路异常断电瞬间，拉高所选GOA电路中每一个单级GOA结构单元内下拉维持电路所对应第一时钟信号和/或第二时钟信号的电位至预设值并维持一定时间，实现对所选GOA电路中每一个单级GOA结构单元所设预充点电位信号所在位置的电荷进行放电。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设值为40V。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

待所选GOA电路重新开启时间到达前，恢复所选GOA电路中每一个单级GOA结构单元内下拉维持电路所对应第一时钟信号和第二时钟信号的原有电位。