[发明专利]可挠性发光二极管制程及其结构

权利要求书

1.一种可挠性发光二极管制程，其特征在于，包括步骤：

提供一临时基板；

于所述临时板上制作一缓冲层；

于所述缓冲层上制作一N型氮化镓层；

图案化所述N型氮化镓层，形成氮化镓奈米柱；

于经图案化的所述N型氮化镓层上制作一电流阻挡层；

图案化所述电流阻挡层，使所述电流阻挡层成形于所述氮化镓奈米柱的自由端部；

于经图案化的所述电流阻挡层上制作一组合氮化镓层；

图案化所述组合氮化镓层，使所述组合氮化镓层成形于所述氮化镓奈米柱的柱身，所述电流阻挡层外露于所述组合氮化镓层；

于经图案化的所述组合氮化镓层上制作一透明导电层；

图案化所述透明导电层，使所述电流阻挡层外露于所述透明导电层；

将所述临时基板和所述缓冲层自经图案化的所述N型氮化镓层上剥离；以及

提供一可挠性基板，将所述可挠性基板黏合于经剥离所述临时基板和所述缓冲层的所述N型氮化镓层上。

2.如权利要求1所述的可挠性发光二极管制程，其特征在于：所述缓冲层通过沉积法制作形成。

3.如权利要求1所述的可挠性发光二极管制程，其特征在于：所述图案化的步骤为以微影光蚀刻制程来实施。

4.如权利要求1所述的可挠性发光二极管制程，其特征在于，在所述于经图案化的所述电流阻挡层上制作一组合氮化镓层的步骤之前还包括步骤：

于经图案化的所述电流阻挡层上制作一绝缘层；

图案化所述绝缘层，使所述电流阻挡层和所述氮化镓奈米柱外露于所述绝缘层；

并且，所述于经图案化的所述电流阻挡层上制作一组合氮化镓层的步骤为：于经图案化的所述绝缘层上制作包括氮化镓多重量子井和P型氮化镓的组合氮化镓层。

5.如权利要求1所述的可挠性发光二极管制程，其特征在于：所述剥离的步骤为以镭射剥离方式进行。

6.一种可挠性发光二极管结构，其特征在于，包括：

可挠性基板；

形成于所述可挠性基板上的氮化镓奈米柱；

形成于所述氮化镓奈米柱的自由端部的电流阻挡层；以及

形成于所述氮化镓奈米柱的柱身的透明导电层。

7.如权利要求6所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述可挠性基板的材质为软性聚酰亚胺。

8.如权利要求6所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述氮化镓奈米柱和所述可挠性基板之间设有N型氮化镓层和绝缘层。

9.如权利要求6所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述氮化镓奈米柱的柱身和所述透明导电层之间设有氮化镓多重量子井和P型氮化镓。

10.如权利要求6所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述透明导电层的外部注有有机硅和量子点。