[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

将衬底贴合到载体；

使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准所述衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；

执行回流工艺，其中所述衬底与所述载体之间的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述衬底的所述第一表面为第一形状，其中所述第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述第一半导体封装的所述第一表面为第二形状，其中所述第一形状实质上匹配所述第二形状，且所述载体的热膨胀系数被预先微调成使所述衬底在执行所述回流工艺期间具有所述第二形状；以及

在所述回流工艺之后，从所述衬底移除所述载体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述衬底贴合到所述载体包括使用粘合层将所述衬底贴合到所述载体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述载体是静电吸盘，其中将所述衬底贴合到所述载体包括对所述载体供应电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底是印刷电路板。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一形状及所述第二形状是弯曲形状。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述回流工艺将所述第一半导体封装实体地及电性地耦合到所述衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在执行所述回流工艺之前，将第二半导体封装的外部连接件对准所述衬底的所述第一表面上的第二导电接垫，其中所述回流工艺将所述第一半导体封装及所述第二半导体封装实体地及电性地耦合到所述衬底。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底具有矩形形状、正方形形状、多边形形状或圆形形状。

9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

对载体的热膨胀系数进行微调；

将衬底的第一侧贴合到所述载体，所述衬底在所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧上具有导电接垫；

将半导体封装放置在所述衬底的所述第二侧上，其中位于所述半导体封装的与所述衬底面对的第一侧上的外部连接件对准所述衬底的各个所述导电接垫；以及

加热所述衬底、所述载体及所述半导体封装，其中所述半导体封装的所述第一侧在所述加热期间具有第一弯曲形状，其中所述载体的所述热膨胀系数被相对于所述衬底的热膨胀系数微调成使得所述衬底的所述第二侧在所述加热期间具有第二弯曲形状，且其中所述第一弯曲形状实质上匹配所述第二弯曲形状。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在加热所述衬底、所述载体及所述半导体封装之后从所述衬底移除所述载体。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述加热期间，所述半导体封装的所述外部连接件接触所述衬底的各个所述导电接垫。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括：

分析所述半导体封装在加热温度下的翘曲；以及

确定所述半导体封装的所述第一侧在所述加热温度下的所述第一弯曲形状。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述衬底是印刷电路板。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体封装包括：

半导体管芯；

模制材料，位于所述半导体管芯周围；

导电特征，电耦合到所述半导体管芯且延伸超过所述半导体管芯的边界；以及

所述外部连接件，电耦合到所述导电特征，其中所述导电特征位于所述半导体管芯与所述外部连接件之间。