[发明专利]半导体结构的制造方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法包括将衬底贴合到载体；使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；以及执行回流工艺，其中衬底与载体之间的热膨胀系数(CTE)差异使得在回流工艺期间衬底的第一表面为第一形状，其中第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在回流工艺期间第一半导体封装的第一表面为第二形状，且其中第一形状实质上匹配所述第二形状。所述方法进一步包括在回流工艺之后，从衬底移除载体。

技术领域

本发明的实施例是有关于一种制造方法，且特别是有关于一种半导体结构的制造方法。

背景技术

半导体行业已因各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度持续提高而经历快速增长。在很大程度上，集成密度的此种提高起因于最小特征大小的反复减小，此种反复减小使得能够将更多组件集成到给定区域中。随着使电子装置缩小这一需求的增长，出现了对用于半导体管芯的更小型且更具创造性的封装技术的需要。此类封装系统的实例是叠层封装(Package-on-Package，PoP)技术。在叠层封装装置中，将顶部半导体封装堆叠在底部半导体封装的顶部上，以提供高集成度及高组件密度。叠层封装技术通常使得能够制作具有增强的功能及小的占用面积(footprints)的半导体装置。另一实例是衬底芯片上芯片(Chip-On-Wafer-On-Substrate，CoWoS)结构，其中将半导体芯片贴合到芯片(例如中介层)以形成芯片上芯片(Chip-On-Wafer，CoW)结构。接着，将所述芯片上芯片结构贴合到衬底(例如印刷电路板)以形成衬底上芯片上芯片结构。

发明内容

本发明的实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。将衬底贴合到载体。使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准所述衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫。执行回流工艺，其中所述衬底与所述载体之间的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述衬底的所述第一表面为第一形状，其中所述第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述第一半导体封装的所述第一表面为第二形状，且其中所述第一形状实质上匹配所述第二形状。在所述回流工艺之后，从所述衬底移除所述载体。

此外，本发明的其他实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。对载体的热膨胀系数进行微调。将衬底的第一侧贴合到所述载体，所述衬底在所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧上具有导电接垫。将半导体封装放置在所述衬底的所述第二侧上，其中位于所述半导体封装的与所述衬底面对的第一侧上的外部连接件对准所述衬底的各个所述导电接垫。加热所述衬底、所述载体及所述半导体封装，其中所述半导体封装的所述第一侧在所述加热期间具有第一弯曲形状，其中所述载体的所述热膨胀系数被相对于所述衬底的热膨胀系数微调成使得所述衬底的所述第二侧在所述加热期间具有第二弯曲形状，且其中所述第一弯曲形状实质上匹配所述第二弯曲形状。

另外，本发明的其他实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。将衬底的第一侧贴合到载体。在结合温度下将半导体封装结合到所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧，其中所述半导体封装的与所述衬底面对的第一侧在所述结合温度下具有第一弯曲形状，其中所述载体与所述衬底之间的热膨胀系数差异使得所述衬底的所述第二侧在所述结合温度下为第二弯曲形状，且其中所述第一弯曲形状匹配所述第二弯曲形状。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明的各方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1至图4说明根据实施例的半导体装置在各种制作阶段的剖视图。

图5至图8说明根据实施例的半导体装置在各种制作阶段的剖视图。

图9至图13说明根据实施例的半导体装置在各种制作阶段的剖视图。

图14至图17说明根据实施例的半导体装置在各种制作阶段的剖视图。