[发明专利]一种基于真实SH时间的老化传感器

权利要求书

1.一种基于真实SH时间的老化传感器，其特征在于包括信号产生与触发电路、镜像抽取延时电路、信号跳变检测电路和锁存器；所述的信号产生与触发电路用于采集待测电路的输出信号并生成被测老化信号，所述的信号产生与触发电路具有输入端、时钟端、输出端和时序监控端，所述的镜像抽取延时电路具有输入端和输出端，所述的信号跳变检测电路具有时钟端、用于接入时钟延迟信号的第一输入端、用于接入被测老化信号的第二输入端和输出端，所述的锁存器具有输入端、输出端和复位端；所述的信号产生与触发电路的输入端为所述的老化传感器的输入端，用于采集待测电路的输出信号，所述的信号产生与触发电路的时钟端、所述的镜像抽取延时电路的输入端和所述的信号跳变检测电路的时钟端连接且其连接端为所述的老化传感器的时钟端，用于接入时钟信号，所述的镜像抽取延时电路的输出端和所述的信号跳变检测电路的第一输入端连接，所述的信号产生与触发电路的输出端和所述的信号跳变检测电路的第二输入端连接，所述的信号跳变检测电路的输出端和所述的锁存器的输入端连接，所述的锁存器的输出端为所述的老化传感器的输出端，所述的锁存器的复位端为所述的老化传感器的复位端；

所述的镜像抽取延时电路包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第一传输门、第二传输门、第一NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；

所述的第一传输门包括第二NMOS管和第三PMOS管，所述的第二NMOS管的源极和所述的第三PMOS管的源极连接且其连接端为所述的第一传输门的输入端，所述的第二NMOS管的漏极和所述的第三PMOS管的漏极连接且其连接端为所述的第一传输门的输出端，所述的第二NMOS管的栅极为所述的第一传输门的控制端，所述的第三PMOS管的栅极为所述的第一传输门的反相控制端；所述的第二传输门的结构与所述的第一传输门的结构相同；所述的第一反相器的输入端为所述的镜像抽取延时电路的输入端，所述的第一反相器的输出端与所述的第一传输门的输入端连接，所述的第一传输门的输出端和所述的第二反相器的输入端连接，所述的第二反相器的输出端和所述的第三反相器的输入端连接，所述的第三反相器的输出端、所述的第四反相器的输入端、所述的第二传输门的输入端和所述的第二传输门的反相控制端连接，所述的第四反相器的输出端、所述的第一PMOS管的栅极和所述的第二传输门的控制端连接，所述的第二传输门的输出端、所述的第一PMOS管的漏极和所述的第五反相器的输入端连接，所述的第五反相器的输出端、所述的第一NMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的栅极和所述的第六反相器的输入端连接，所述的第六反相器的输出端为所述的镜像抽取延时电路的输出端，所述的第一传输门的控制端和所述的第一PMOS管的源极均接入电源，所述的第一传输门的反相控制端、所述的第一NMOS管的源极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第二PMOS管的源极和所述的第二PMOS管的漏极均接地；所述的第一NMOS管的阈值电压为0.397V，所述的第二NMOS管的阈值电压为0.397V，所述的第一PMOS管的阈值电压为0.404V，所述的第二PMOS管的阈值电压为0.404V，所述的第三PMOS管的阈值电压为0.404V。