[发明专利]制造半导体结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，其包括：

提供包含多个第一晶片的第一批次及包含多个第二晶片的第二批次；

导出用于处理所述第一批次的第一处理时间；

导出用于处理所述第二批次的第二处理时间；

导出所述第一处理时间与所述第二处理时间之间的处理时间差；

在掩模台上装载第一掩模；

在晶片台上处理所述第一批次；

从所述掩模台移除所述第一掩模；

在所述掩模台上装载第二掩模；及

在所述晶片台上处理所述第二批次，

其中完成所述第一批次的所述处理与开始所述第二批次的所述处理之间的时间间隔大于或等于所述处理时间差。

2.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述多个第一晶片的总数导出所述第一处理时间，或根据所述多个第二晶片的总数导出所述第二处理时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一处理时间短于所述第二处理时间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个第一晶片的总数小于所述多个第二晶片的总数。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一批次的所述处理、所述第二掩模的所述装载或所述第二批次的所述处理之前执行所述处理时间差的所述导出。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述时间间隔内执行所述第一掩模的所述移除及所述第二掩模的所述装载。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一批次的所述处理之后且在所述第二批次的所述处理之前执行所述第一掩模的所述移除及所述第二掩模的所述装载。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一批次的所述处理包含将所述多个第一晶片逐个装载在所述晶片台上，并将辐射束通过所述第一掩模朝向所述多个第一晶片逐个投射。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二批次的所述处理包含将所述多个第二晶片逐个装载在所述晶片台上，并将辐射束通过所述第二掩模朝向所述多个第二晶片逐个投射。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

根据所述时间间隔导出加热所述第二掩模的第一持续时间；及

在所述第二掩模的所述装载之后且在所述第二批次的所述处理之前将所述第二掩模加热所述第一持续时间。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

提供安置在所述掩模台与所述晶片台之间的透镜；

根据所述时间间隔导出加热所述透镜的第二持续时间；及

在所述第一批次的所述处理之后且在所述第二批次的所述处理之前将所述透镜加热所述第二持续时间。

12.一种制造半导体结构的方法，其包括：

提供包含多个第一晶片的第一批次及包含多个第二晶片的第二批次；

导出所述第一批次的最后一个晶片的装载与装载所述第二批次的第一晶片之间的第一时间间隔；

在掩模台上装载第一掩模；

在晶片台上处理所述第一批次的第一晶片；

从所述晶片台移除所述第一批次的所述第一晶片；

在所述晶片台上处理所述第一批次的所述最后一个晶片；

从所述晶片台移除所述第一批次的所述最后一个晶片；

从所述掩模台移除所述第一掩模；

在所述掩模台上装载第二掩模；

在所述晶片台上处理所述第二批次的所述第一晶片；

从所述晶片台移除所述第二批次的所述第一晶片；

在所述晶片台上处理所述第二批次的最后一个晶片；

从所述晶片台移除所述第二批次的所述最后一个晶片；及

从所述掩模台移除所述第二掩模，

其中所述第一批次的所述最后一个晶片的所述移除与所述第二批次的所述第一晶片的所述处理间隔开所述第一时间间隔。