[发明专利]封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成封装件的方法，包括：

形成多个介电层；

在所述多个介电层中形成多个再分布线；

蚀刻所述多个介电层以形成开口；

填充所述开口以形成穿透所述多个介电层的介电通孔；

在所述介电通孔和所述多个介电层上方形成第二介电层；

在所述第二介电层中形成多个接合焊盘；

通过混合接合将第一器件管芯接合至所述第二介电层和所述多个接合焊盘的第一部分；以及

将管芯叠层接合至所述第一器件管芯的硅通孔；

将附加器件管芯接合至所述第一器件管芯，其中，所述附加器件管芯直接接合至所述第一器件管芯中的硅通孔；

形成氧化物层，所述氧化物层位于所述附加器件管芯的半导体衬底上方并且接触所述附加器件管芯的半导体衬底；

形成第二接合焊盘，所述第二接合焊盘延伸到所述氧化物层内；以及

通过混合接合将空白管芯接合至所述氧化物层和所述第二接合焊盘，所述空白管芯包括块状衬底并且未形成有有源器件或无源器件。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过混合接合将第二器件管芯接合至所述第二介电层和所述多个接合焊盘的第二部分，其中，所述多个再分布线将所述第一器件管芯连接至所述第二器件管芯。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个再分布线包括镶嵌工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电通孔不延伸至任一个半导体衬底内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述附加器件管芯与所述第一器件管芯的重叠部分被所述空白管芯覆盖。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二接合焊盘延伸到所述附加器件管芯的半导体衬底内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二接合焊盘接触而不延伸到所述附加器件管芯的半导体衬底内。

8.一种形成封装件的方法，包括：

形成多个介电层；

在所述多个介电层的每一个中形成多个再分布线；

形成穿透所述多个介电层的第一介电通孔和第二介电通孔；

在所述多个介电层上方形成第二介电层；

在所述第二介电层中形成多个接合焊盘，并且所述多个接合焊盘电连接至所述第一介电通孔、所述第二介电通孔和所述多个再分布线；

通过混合接合将第一器件管芯和第二器件管芯接合至所述第二介电层和所述多个接合焊盘，其中，所述第一器件管芯通过所述多个再分布线与所述第二器件管芯电互连；以及

将管芯叠层接合至所述第二器件管芯；

将第三器件管芯接合至所述第二器件管芯；

形成氧化物层，所述氧化物层位于所述第三器件管芯的半导体衬底上方并且直接接触所述第三器件管芯的半导体衬底；

形成第二接合焊盘，所述第二接合焊盘延伸到所述氧化物层内；以及

通过混合接合将块状晶圆接合至所述氧化物层和所述第二接合焊盘。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，使用镶嵌工艺形成所述多个再分布线。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述第一器件管芯和所述第二器件管芯的相对侧上填充间隙填充材料；

形成穿透所述间隙填充材料的第三介电通孔；以及

将第三器件管芯直接接合至所述第三介电通孔，并且所述第三器件管芯与所述第三介电通孔物理接触。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括形成穿透所述间隙填充材料的第四介电通孔，其中，所述第二器件管芯直接接合至所述第一介电通孔并且与所述第一介电通孔物理接触，并且所述管芯叠层直接接合至所述第四介电通孔并且与所述第四介电通孔物理接触。