[发明专利]封装件及其形成方法

说明书

一种方法包括：形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个再分布线；蚀刻所述多个介电层以形成开口；填充所述开口以形成穿透所述多个介电层的介电通孔；在所述介电通孔和所述多个介电层上方形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘；通过混合接合将第一器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第一部分；以及将管芯叠层接合至所述第一器件管芯中的硅通孔。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。

背景技术

集成电路的封装件变得越来越复杂，更多的器件管芯封装在同一封装件中以实现更多的功能。例如，封装件可以包括接合至同一中介层的多个器件管芯(诸如处理器和存储数据集)。中介层可以基于半导体衬底形成，硅通孔形成在半导体衬底中以互连形成在中介层的相对侧上的部件。模塑料封装其中的器件管芯。包括中介层和器件管芯的封装件进一步接合至封装衬底。此外，表面贴装器件也可以接合至该衬底。散热器可以附接至器件管芯的顶面，以便消散器件管芯中产生的热量。散热器可以具有固定到封装衬底上的裙部(skirt portion)。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个再分布线；蚀刻所述多个介电层以形成开口；填充所述开口以形成穿透所述多个介电层的介电通孔；在所述介电通孔和所述多个介电层上方形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘；通过混合接合将第一器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第一部分；以及将管芯叠层接合至所述第一器件管芯的硅通孔。

本发明的另一实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在所述多个介电层的每一个中形成多个再分布线；形成穿透所述多个介电层的第一介电通孔和第二介电通孔；在所述多个介电层上方形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘，并且所述多个接合焊盘电连接至所述第一介电通孔、所述第二介电通孔和所述多个再分布线；通过混合接合将第一器件管芯和第二器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘，其中，所述第一器件管芯通过所述多个再分布线与所述第二器件管芯电互连；以及将管芯叠层接合至所述第二器件管芯。

本发明的又一实施例提供了一种封装件，包括：多个介电层；多个再分布线，位于所述多个介电层的每一个中；第一介电通孔，穿透所述多个介电层；多个接合焊盘，位于所述第一介电通孔和所述多个再分布线上方，并且连接至所述第一介电通孔和所述多个再分布线；第一介电层，所述多个接合焊盘位于所述第一介电层中；第一器件管芯，通过混合接合接合至所述第一介电层和所述多个接合焊盘的第一部分；间隙填充材料，位于所述第一器件管芯的相对侧上；第二介电通孔，穿透所述间隙填充材料；以及管芯叠层，接合至所述第二介电通孔。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最好地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1至图28A示出了根据一些实施例的形成无硅衬底(少硅)封装件的中间阶段的截面图。

图28B至图28C示出了根据一些实施例的包括少硅封装件的封装件的截面图。

图29至图30示出了根据一些实施例的形成少硅封装件的中间阶段的截面图。

图31至图32示出了根据一些实施例的嵌入少硅封装件的封装件的截面图。

图33示出了根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程。

具体实施方式