[发明专利]电子装置基板及制造方法/显示装置有效
申请号: | 201711284358.1 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN109904336B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 马群;崔志明;王大伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种电子装置基板,包括:
衬底基板;
有机封装层,设置在所述衬底基板上且包括主体部分和边缘部分;
垫高结构,凸出设置在所述衬底基板上;
其中,所述有机封装层的边缘部分至少部分覆盖所述垫高结构,且相对于所述衬底基板,远离所述有机封装层主体部分的所述垫高结构的高度大于靠近所述有机封装层主体部分的所述垫高结构的高度;
其中,所述电子装置基板包括工作区域和非工作区域,且所述有机封装层的主体部分位于所述工作区域内,所述有机封装层的边缘部分位于所述非工作区域内;
其中,沿垂直于所述衬底基板的方向上,所述垫高结构的剖面结构包括向着所述有机封装层延伸的楔形;
其中,当所述垫高结构为楔形时,所述垫高结构的所述楔形表面的坡度角等于所述有机封装层与所述衬底基板上用于支撑所述有机封装层的表面材料之间形成的润湿角。
2.如权利要求1所述的电子装置基板,其中,沿垂直于所述衬底基板的方向上,所述有机封装层的边缘部分的厚度小于所述有机封装层的主体部分的厚度。
3.如权利要求1所述的电子装置基板,还包括挡墙,其中,所述挡墙设置在所述衬底基板上,且所述挡墙位于所述垫高结构靠近所述衬底基板边缘一侧且与所述垫高结构之间具有间隔。
4.如权利要求3所述的电子装置基板,还包括第一封装层,其中,所述第一封装层设置在所述有机封装层和所述衬底基板之间,且覆盖所述垫高结构。
5.如权利要求4所述的电子装置基板,还包括第二封装层,其中,所述第二封装层设置在所述有机封装层上且覆盖所述垫高结构。
6.如权利要求5所述的电子装置基板,其中,所述第一封装层和所述第二封装层为无机材料层。
7.一种电子装置,包括如权利要求1-6任一所述的电子装置基板。
8.一种电子装置基板的制造方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成垫高结构,所述垫高结构凸出设置在所述衬底基板上;
在所述衬底基板上形成有机封装层,所述有机封装层包括边缘部分和主体部分;
其中,所述有机封装层的边缘部分至少部分覆盖所述垫高结构,且相对于所述衬底基板,远离所述有机封装层主体部分的所述垫高结构的高度大于靠近所述有机封装层主体部分的所述垫高结构的高度;
其中,沿垂直于所述衬底基板的方向上,所述垫高结构的剖面结构包括向着所述有机封装层延伸的楔形;
其中,当所述垫高结构为楔形时,所述垫高结构的楔形表面的坡度角等于所述有机封装层与所述衬底基板上用于支撑所述有机封装层的表面材料之间形成的润湿角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择