[发明专利]一种IBC太阳能电池的背面制结方法

权利要求书

1.一种IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，包括：

对硅片进行碱制绒之后，在所述硅片的背面形成图形化的第一电极类型掺杂和第二电极类型掺杂，其中所述第一电极类型和所述第二电极类型相反，所述第一电极类型掺杂和所述第二电极类型掺杂中至少一种采用的是激光掺杂的方式。

2.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面形成图形化的第一电极类型掺杂和第二电极类型掺杂包括：

在所述硅片的背面形成掩膜并开孔进行硼扩散；

去除BSG和所述掩膜；

在所述硅片的背面沉积磷源并进行激光掺杂形成图形。

3.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，

所述在所述硅片的背面形成图形化的第一电极类型掺杂和第二电极类型掺杂包括：

在所述硅片的背面形成掩膜并开孔进行磷扩散；

去除PSG和所述掩膜；

在所述硅片的背面沉积硼源并进行激光掺杂形成图形。

4.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面形成图形化的第一电极类型掺杂和第二电极类型掺杂包括：

在所述硅片的背面沉积硼源并进行激光掺杂形成第一图形；

去除BSG；

在所述硅片的背面沉积磷源并进行激光掺杂形成第二图形；

去除PSG。

5.根据权利要求1-4任一项所述的IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，所述激光掺杂的方式为：

利用波长为532nm或355nm、功率为5W至60W、脉冲宽度为5ns至200ns、频率为20kHz至100kHz、点状或条状光斑直径为5μm至400μm的激光照射所述硅片的背面，形成深度范围为0.4μm至2.4μm、方阻为10Ohm/sq至100Ohm/sq的重掺杂背面场区域。

6.根据权利要求2或3所述的IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面形成掩膜为：

在所述硅片的背面形成厚度为50nm至300nm的SiO₂掩膜或50nm至250nm的SiO_xN_y掩膜或SiN_x掩膜。

7.根据权利要求6所述的IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，所述开孔为：

利用刻蚀激光在所述掩膜上以150μm至1500μm的间隔刻蚀出宽度范围为120μm至1200μm的沟槽。

8.根据权利要求2或4所述的IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面沉积磷源为：

以APCVD或印刷的方式在所述硅片的背面沉积磷源。

9.根据权利要求3或4所述的IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面沉积硼源为：

以APCVD或印刷的方式在所述硅片的背面沉积硼源。

10.根据权利要求1-4任一项所述的IBC太阳能电池的背面制结方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面形成图形化的第一电极类型掺杂和第二电极类型掺杂之后，还包括：

以ALD方式沉积10nm至120nm的AlO_x钝化层或热氧化形成10nm至120nm的SiO_x钝化层，并以PECVD方式沉积20nm至150nm的SiN_x减反射层；

进行金属化形成接触。