[发明专利]一种硅光芯片的耦合方法和耦合结构在审

专利信息
申请号: 201711341732.7 申请日: 2017-12-14
公开(公告)号: CN107942451A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 杜巍;宋琼辉 申请(专利权)人: 武汉电信器件有限公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341 代理人: 何婷
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 耦合 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种硅光芯片的耦合方法,其特征在于,耦合结构包括光学组件、硅光芯片(1)和PCB板(8),其中光学组件包括激光器芯片(2)、耦合透镜(3)、光纤(4)、玻璃盖板(5)、V槽基板(6)和外接端口(7),耦合方法包括:

将硅光芯片(1)和V槽基板(6)的粘接固定在PCB板(8)上;将光纤(4)的一端放置到硅光芯片(1)耦合端面上的芯片V槽(1-1)中,将光纤(4)的另一端放置在V槽基板(6)的V型槽(6-1)中;

其中,所述激光器芯片(2)、耦合透镜(3)、光纤(4)和玻璃盖板(5)设置在V槽基板(6)上。

2.根据权利要求1所述的硅光芯片的耦合方法,其特征在于,所述硅光芯片(1)的耦合端面硅波导由所述芯片V槽(1-1)和悬臂硅波导(1-2)结构,其中,所述悬臂硅波导(1-2)与V型槽(1-1)耦合相连,并且与放置在所述V型槽(1-1)上的光纤(4)的端口完成光路耦合。

3.根据权利要求2所述的硅光芯片的耦合方法,其特征在于:所述光学组件通过光纤(4)分别固定在芯片V槽(1-1)和V型槽(6-1)后,实现激光器芯片(2)与硅光芯片(1)之间的悬臂硅波导(1-2)的耦合连接,实现光路连通。

4.根据权利要求1-3任一所述的硅光芯片的耦合方法,其特征在于:所述V槽基板(6)所用材料为硅,V槽基板(6)上的V型槽(6-1)通过湿法刻蚀加工而成。

5.根据权利要求1-3任一所述的硅光芯片的耦合方法,其特征在于:所述激光器芯片(2)为端面发射,包括FP激光器或DFB激光器。

6.根据权利要求1所述的硅光芯片的耦合方法,其特征在于:在耦合结构还包括玻璃垫片(9)、紫外胶水(10)和匹配液(11)时,所述耦合方法还包括在玻璃垫块(9)上点紫外胶水固定上方的光纤(4),再固定V槽基板(6),实现整个光学组件与芯片耦合端的对准封装。

7.根据权利要求1所述的硅光芯片的耦合方法,其特征在于:所述光纤(4)两个端面,LC Receptacle(7)的尾纤端面,均需剥除涂覆层部分1-4毫米。

8.一种硅光芯片的耦合结构,其特征在于,耦合结构包括光学组件、硅光芯片(1)和PCB板(8),其中光学组件包括激光器芯片(2)、耦合透镜(3)、光纤(4)、玻璃盖板(5)、V槽基板(6)和外接端口(7),耦合结构包括:

硅光芯片(1)和V槽基板(6)粘接固定在PCB板(8)上;

光纤(4)的一端设置在硅光芯片(1)耦合端面上的芯片V槽(1-1)中,另一端放置在V槽基板(6)的V型槽(6-1)中

其中,所述激光器芯片(2)、耦合透镜(3)、光纤(4)和玻璃盖板(5)设置在V槽基板(6)上。

9.根据权利要求8所述的硅光芯片的耦合结构,其特征在于:所述硅光芯片(1)的耦合端面硅波导包括所述芯片V槽(1-1),以及悬臂硅波导(1-2)结构,其中,所述悬臂硅波导(1-2)直接与V型槽相连。

10.根据权利要求8或9所述的硅光芯片的耦合结构,其特征在于:所述激光器芯片(2)出光点与V型槽(6-1)中光纤(4)纤芯中心高度一致;激光器芯片(2)光轴与V型槽(6-1)中光纤(4)的纤芯中心线重合。

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