[发明专利]光掩膜承载盒以及光掩膜装置的承载及清洁方法在审

专利信息
申请号: 201711348626.1 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN109932866A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 刘子汉;林重宏;温志伟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F1/66 分类号: G03F1/66;G03F1/82
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光掩膜 容置空间 壳体 承载盒 抽气装置 进气孔 承载 清洁气体 装置设置 清洁 抽气口 抽气 配置
【说明书】:

发明实施例提供一种光掩膜承载盒用以承载光掩膜装置,光掩膜承载盒包括壳体以及抽气装置。壳体包括容置空间、进气孔以及抽气口,光掩膜装置设置于容置空间内,且进气孔经配置以将清洁气体注入壳体的容置空间内。抽气装置设置于壳体上,以对容置空间进行抽气。本发明实施例更提供一种光掩膜装置的承载及清洁方法。

技术领域

本发明实施例涉及一种光掩膜承载盒以及光掩膜装置的承载及清洁方法。

背景技术

光掩膜(photomasks or reticles)已经普遍被使用于半导体制造的光刻工艺中。典型的光掩膜是使用非常平的石英或玻璃板,并在板体的其中一侧面沉积一层铬所制作而成。在光刻工艺中,会将光掩膜(例如二位明暗度光掩膜(Binary Intensity Mask,BIM)或是相位偏移光掩膜(Phase Shift Mask,PSM)上的图案(pattern)转移成图像到晶片上。然而,光掩膜的洁净程度往往会是一项问题,对于高精确的光掩膜(例如在光刻工艺中,使用波长等于或短于248纳米的光掩膜)特别容易受影响而产生缺陷。

造成光掩膜的不洁净的其中一种因素,即是为薄雾污染(haze contamination)。薄雾污染形成的主要原因,来自于光掩膜清洗剂的残留沉积物、不洁净的晶片制造环境或是暴露于相互影响的设备环境中。举例来说,当使用包含氨盐基(NH4)与硫酸盐(SO4)的溶剂来清洗光掩膜后,若光掩膜曝晒于短波长的紫外光下(如短波248或193纳米)时,光掩膜污染的现象会变得明显。

发明内容

本发明实施例是针对一种光掩膜承载盒,其可提升光掩膜的清洁效率。

根据本发明的实施例,光掩膜承载盒用以承载并传送光掩膜装置,光掩膜承载盒包括壳体以及抽气装置。壳体包括容置空间、进气孔以及抽气口,光掩膜装置设置于容置空间内,且进气孔经配置以将清洁气体注入壳体的容置空间内。抽气装置设置于壳体上,以对容置空间进行抽气。

本发明实施例的一种光掩膜装置的承载及清洁方法包括下列步骤。提供一光掩膜承载盒,其中光掩膜承载盒包括一壳体以及一抽气装置。将一光掩膜装置设置于壳体内。注入一清洁气体至壳体内。以抽气装置对壳体内部进行抽气,以使清洁气体充满壳体。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本发明实施例的各个方面。应注意,根据本行业中的标准实务,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是依照本发明的一实施例的一种光掩膜承载盒的剖面示意图;

图2是依照本发明的一实施例的一种光掩膜承载盒的剖面示意图;

图3是依照本发明的一实施例的一种光掩膜承载盒的组件分解示意图;

图4是依照本发明的一实施例的一种光掩膜承载盒的局部示意图;

图5是依照本发明的一实施例的一种光刻工艺系统的示意图。

附图标号说明

10:光掩膜储存柜;

20:控制器;

30:工艺区;

100、100a:光掩膜承载盒;

110、110a:壳体;

112、112a:上壳体;

114:下壳体;

116:把手部;

120:抽气装置;

122:转子;

124:静子;

130:光掩膜装置;

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