[发明专利]用于光学邻近效应修正的计算光刻方法及系统

说明书

本发明提供了一种用于光学邻近效应修正的计算光刻方法。所述计算光刻方法将输入的版图设计文件按照工艺因子的值分解成第一布局部分和第二布局部分，其中，所述第一布局部分的工艺因子低于预设阈值，所述第二布局部分的工艺因子大于所述预设阈值；接着对所述第一布局部分和所述第二布局部分分别进行处理；然后，匹配及合并已处理的所述第一布局部分和所述第二布局部分。由于对第一布局部分和第二布局部分分开进行处理，提高了处理品质，因而不再需要迭代执行检验光学邻近效应修正步骤和热点修正步骤，从而提高了版图设计文件的输出速度。本发明还提供一种用于光学邻近效应修正的计算光刻系统。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造中的光刻技术，尤其涉及一种用于光学邻近效应修正的计算光刻方法及系统。

背景技术

随着半导体制造的发展，集成度越来越高，单位面积所包含的晶体管的个数也在飞速增加。在制造工艺上衡量集成度的主要指标就是光刻工艺的分辨率，它用来区别硅片表面邻近的特征图形的能力。

众所周知，k1＝NA*p/2λ，其中，k1是工艺因子或分辨率常数；NA(NumericalAperture)，光刻机的光学系统的数值孔径，表示透镜收集衍射光(聚光)的能力，NA＝n*sinθ＝n*(透镜半径/透镜焦距)，一般来说，NA大小为0.5～0.85；p为光刻图形的分辨率；λ为曝光光源的波长。k1越大越容易进行光刻。为了使k1增大，可以从NA增加和曝光波长λ减少等方面进行改进。

在曝光过程中，最后的图形品质往往因为光学邻近效应而下降：线宽的变化、转角的圆化、线长的缩短等。于是，常常需要使用光学邻近效应修正技术来补偿这种尺寸变化。

在现有的计算光刻方法中，如图1所示，首先执行步骤S110，校准模型，接着执行步骤S120，制作用于光学邻近效应修正的脚本；接着执行步骤S130，输入版图设计文件；然后，执行步骤S140，检验光学邻近效应修正的效果；接着执行步骤S150，修正版图设计文件中可能存在的热点，如果热点没有被修正，返回到检验光学邻近效应修正步骤，直到热点被修正，最后执行步骤S160，取走版图设计文件。

在图1所示的计算光刻方法中，检验光学邻近效应修正验证步骤和热点修正步骤之间可能要多次重复，直到热点被修正。这意味着现有的计算光刻方法需要时间来迭代重复检验光学邻近效应修正和热点修正步骤，进而增加了时间成本。

发明内容

有鉴于此，本发明的实施例提供一种用于光学邻近效应修正的计算光刻方法及系统，以至少解决现有技术中的以上技术问题，至少提供一种有益的选择。

作为本发明的一个方面，本发明的实施方式提供了一种用于光学邻近效应修正的计算光刻方法，包括：

分解步骤，分解步骤包括将输入的版图设计文件按照工艺因子的值分解为第一布局部分和第二布局部分，其中，第一布局部分的工艺因子低于预设阈值，且第二部分的工艺因子大于所述预设阈值；

处理步骤，处理步骤包括分别处理第一布局部分和第二布局部分；以及

匹配及合并步骤，匹配及合并步骤包括匹配及合并已处理的第一布局部分和第二布局部分。

在本发明的计算光刻方法的一个实施方式中，工艺因子的预设阈值＜0.4，优选地，工艺因子的预设阈值＜0.3。

在本发明的计算光刻方法的一个实施方式中，所述分解步骤还包括对输入的所述版图设计文件进行遍历，以按照版图设计文件中各点的工艺因子的值确定第一布局部分和第二布局部分。

在本发明的计算光刻方法的一个实施方式中，所述分解步骤还包括对第一布局部分和第二布局部分分别设置标识；以及

所述匹配及合并步骤还包括按照标识匹配及合并已处理的第一布局部分和第二布局部分。