[发明专利]一种掺硼金刚石电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201711389123.9 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107986401A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 唐永炳;谷继腾;杨扬;石磊 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/30;B01J23/30;B01J23/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种掺硼金刚石电极，其特征在于，包括基体，依次层叠设置于所述基体上的掺硼金刚石层和二氧化钛层，所述二氧化钛层具有多孔结构，所述多孔结构的孔洞贯穿所述二氧化钛层，以使部分所述掺硼金刚石层暴露。
2.如权利要求1所述的掺硼金刚石电极，其特征在于，所述孔洞沿垂直于所述基体表面的方向设置。
3.如权利要求1所述的掺硼金刚石电极，其特征在于，所述孔洞之间彼此间隔设置。
4.如权利要求1所述的掺硼金刚石电极，其特征在于，所述掺硼金刚石层的厚度为1-3μm。
5.如权利要求1所述的掺硼金刚石电极，其特征在于，所述二氧化钛层的厚度为0.2-0.5μm。
6.如权利要求1所述的掺硼金刚石电极，其特征在于，所述基体的材质包括钛、硅、钽、铌和钨中的一种或多种。
7.一种掺硼金刚石电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
取基体，将所述基体进行喷砂处理后，在所述基体表面沉积掺硼金刚石层；
在所述掺硼金刚石层表面沉积钛层，再于400-500℃下进行退火处理，使所述钛层转变为具有多孔结构的二氧化钛层，得到掺硼金刚石电极，所述多孔的孔洞贯穿所述二氧化钛层，以使部分所述掺硼金刚石层暴露。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用热丝化学气相沉积法制备掺硼金刚石层，在所述沉积过程中，通入的气体包括甲烷、三甲基硼烷和氢气，所述甲烷的流量为12-16sccm，所述三甲基硼烷的流量为16-64sccm，所述氢气的流量为720-1000sccm，沉积温度800-900℃，压强为4000-4500Pa，沉积时间为1-3h。
9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法沉积钛层，在所述沉积过程中，靶源为钛靶，靶电压为300-600V，靶电流为0.5-6.5A，靶功率为2.2-2.6Kw，沉积时间为10-30min。
10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的具体操作为：以5-10℃/min的升温速度从室温升至400-500℃，保温10-30min后，冷却至室温。
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