[发明专利]一种高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法

权利要求书

1.一种高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

1）制备粘结剂：量取混合溶液总体积的5～80%的起粘附作用的有机物、2～20%的去离子水以及0.5～20%的氨水，将上述组分混合后以200～2000rpm的搅拌速度搅拌3～10min；其中，混合后溶液中上述组分含量的百分数之和等于100%；

2）制备氮化铝块状坯料：称取粉体混合物总重量的50%～96%氮化铝粉体以及4%～50%的NH₄HCO₃粉体均匀混合为粉体混合物；将步骤1）预制备的粘结剂与所述粉体混合物均匀混合；将混合完毕的粉状料均匀地投放到模具中，采用二次成型工艺进行压制；

3）制备雏晶料源：将氮化铝块装坯料放置在坩埚中，同时将其置于热场结构中；在氮气压力为30～100KPa条件下进行提纯处理；其中，提纯处理过程为：0～200℃时，5～15℃/min；200℃恒温30～120min；200～800℃时，10～25℃/min；800℃恒温30～120min；800～2000℃时， 10～30℃/min；2000℃恒温30～180min；2000～2200℃时，10～20℃/min；2200℃恒温60～3000min；2200～0℃时，10～50℃/min。

2.根据权利要求1所述的高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，其特征在于，步骤2）中制备氮化铝块状坯料的整个过程的环境温度不高于27℃。

3.根据权利要求2所述的高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，其特征在于，步骤2）中制备氮化铝块状坯料的整个过程的环境温度为20℃。

4.根据权利要求1所述的高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，其特征在于，步骤2）中所述氮化铝粉体的颗粒≥250目，纯度不小于94%。

5.根据权利要求1所述的高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，其特征在于，步骤2）中二次成型工艺进行压制的压力为0.5～50MPa。

6.根据权利要求1所述的高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，其特征在于，步骤3）中提纯处理过程采用的坩埚为TaC材质或TaC-Ta混合材质或W材质。

7.根据权利要求1所述的高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，其特征在于，步骤3）中提纯处理过程采用的热场结构载体为感应炉或金属加热器-金属保温结构炉。

8.根据权利要求1所述的高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，其特征在于，步骤1）中所述起粘附作用的有机物包括但不限于异丙醇或丁醇。