[发明专利]高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法

权利要求书

1.一种高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法，其特征在于方法如下：

1)将平均粒度为0.4～3毫米的混合原料投入超细搅拌球磨机研磨4小时，然后转入超细砂磨机再研磨2±0.1小时，得平均粒度为0.4～1.5微米、且最大粒度≤3微米的生瓷料；

所述混合原料由下列重量份的原料混配而成：Pb₃O₄ 57.6～75、ZrO₂ 12.2～26、TiO₂8.2～23.5、Sb₂O₃ 0～7、Nb₂O₅ 1～5、SrCO₃ 7～15、Bi₂O₃ 0～5、MnO₂ 0.4～3、La₂O₃ 0～2；

2)将所述生瓷料与聚乙烯醇按88.7:12.3的重量比混匀制成生瓷料面团；

3)将上述生瓷料面团用轧膜机辊轧1～15小时，得0.5～0.8毫米厚的膜片；

4)将上述膜片制成介质体，陈腐12小时；

5)将经过臣陈腐的介质体用轧膜机精轧至0.4～0.6毫米厚，然后冲压成环形圆片；

6)将上述环形圆片按20～30片叠合整齐放在纯度为99％的氧化铝承烧板上、送入1210～1250℃的烧结炉中烧制成陶瓷介质片，保温2～2.5小时。

2.根据权利要要求1所述的高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法，其特征在于所述混合原料中各原料的配比为：Pb₃O₄ 66.3、ZrO₂ 19.1、TiO₂ 15.8、Sb₂O₃ 3.5、Nb₂O₅ 3、SrCO₃ 11、Bi₂O₃ 2.5、MnO₂ 1.7、La₂O₃ 1。